[發(fā)明專利]梯度折射率薄膜的制備方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910098784.5 | 申請(qǐng)日: | 2009-05-14 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101560653A | 公開(kāi)(公告)日: | 2009-10-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 章岳光;何俊鵬;沈偉東;劉旭 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 浙江大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C23C16/52 | 分類號(hào): | C23C16/52;C23C16/44 |
| 代理公司: | 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 | 代理人: | 張法高 |
| 地址: | 310027*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 梯度 折射率 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種梯度折射率薄膜的制備方法,其特征在于包括如下步驟:
1)將兩種低折射率材料反應(yīng)前驅(qū)體放入原子層沉積鍍膜機(jī)的第一反應(yīng)前驅(qū)體容器和第三反應(yīng)前驅(qū)體容器,兩種高折射率材料反應(yīng)前驅(qū)體分別放入原子層沉積鍍膜機(jī)的第二反應(yīng)前驅(qū)體容器和第四反應(yīng)前驅(qū)體容器;
2)將原子層沉積鍍膜機(jī)中的襯底加熱到100℃~400℃,抽真空至0.1~1Torr,開(kāi)啟原子層沉積鍍膜機(jī);
3)開(kāi)啟原子層沉積鍍膜機(jī)的第一閥門(mén)P1和第三閥門(mén)P3,分別通入第一反應(yīng)前驅(qū)體和第三反應(yīng)前驅(qū)體,沉積低折射率膜層1~100循環(huán),得到低折射率膜單層;
4)關(guān)閉原子層沉積鍍膜機(jī)的第一閥門(mén)P1和第三閥門(mén)P3,開(kāi)啟原子層沉積鍍膜機(jī)的第二閥門(mén)P2和第四閥門(mén)P4,分別通入第二反應(yīng)前驅(qū)體和第四反應(yīng)前驅(qū)體,沉積高折射率膜層1~100循環(huán),得到高折射率膜單層;
5)高折射率膜單層和低折射率膜單層形成折射率子層,交替沉積10~100次形成梯度折射率薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種梯度折射率膜層的制作方法,其特征在于,所述的兩種高折射率材料前驅(qū)體和兩種低折射率材料前驅(qū)體是金屬反應(yīng)物和氧化氣體;金屬反應(yīng)物是氯化鈦或氯化硅,氧化氣體是水蒸氣、氧氣或臭氧。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種梯度折射率膜層的制作方法,其特征在于,所述的襯底是光學(xué)玻璃或半導(dǎo)體光電子器件腔面。
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- 專利分類
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的
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