[發明專利]碳化鈦彌散強化銅基復合材料的自蔓延高溫合成制備方法

無效

• 申請號: 200910095173.5
• 申請日: 2009-11-11
• 公開（公告）號: CN101709398A
• 公開（公告）日: 2010-05-19
• 發明（設計）人: 李才巨;朱心昆;周蕓;陶靜梅;陳鐵力
• 申請（專利權）人: 昆明理工大學
• 主分類號: C22C1/05
• 分類號: C22C1/05;C22C32/00;C22C9/00;C22C29/10
• 代理公司: 昆明今威專利代理有限公司 53115
• 代理人: 賽曉剛

1.一種碳化鈦彌散強化銅基復合材料的自蔓延高溫合成制備方法，其特征在于含有以下步驟：以粒度均小于100目，純度均大于99％的Cu粉、Ti粉和C粉為原料，先將Cu粉、Ti粉和C粉混合均勻，把球料比為10∶1～100∶1的鋼球和混合粉末在充滿氬氣的手套箱中放入球磨罐中，使球料混合物占球磨罐內腔體積的10～50％；在室溫下以1000～2000轉/分的轉速進行高能球磨3～10小時；然后將球磨后的混合粉末冷壓成型；最后在真空室內采用電弧引燃壓坯，通過壓坯的自蔓延高溫合成制備TiC彌散強化的銅基復合材料。

2.根據權利要求1所述的一種碳化鈦彌散強化銅基復合材料的自蔓延高溫合成制備方法，其特征在于：所述的先將Cu粉、Ti粉和C粉混合均勻時的混合粉末中，Cu粉與Ti+C粉的質量比為50∶50～70∶30，其中Ti粉與C粉的摩爾比為1∶1。

3.根據權利要求1所述的一種碳化鈦彌散強化銅基復合材料的自蔓延高溫合成制備方法，其特征在于：所述的TiC彌散強化的銅基復合材料的TiC顆粒的平均粒徑2～8μm。