[發(fā)明專利]TFT-LCD陣列基板及其制造方法

有效

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• 申請日: 2009-09-18
• 公開（公告）號: CN102023431A
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發(fā)明（設計）人: 謝振宇
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/02;H01L21/82
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 曲鵬

1.一種TFT-LCD陣列基板，包括數(shù)條柵線和數(shù)據(jù)線，所述柵線和數(shù)據(jù)線限定的每個像素區(qū)域內形成有像素電極和薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管的源電極和漏電極分別通過半導體層表面形成的摻雜半導體層與半導體層連接。

2.根據(jù)權利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述摻雜半導體層為使用磷烷或氨氣電離后離子注入到半導體層表面后形成。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述柵線上形成有覆蓋整個基板的柵絕緣層；所述薄膜晶體管的半導體層形成在所述柵絕緣層上，并位于所述薄膜晶體管的柵電極的上方；鈍化層形成在上述構圖上，在所述半導體層所在位置開設有源電極過孔和漏電極過孔；所述摻雜半導體層形成在源電極過孔和漏電極過孔內的半導體層表面上。

4.根據(jù)權利要求3所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述源電極通過其下方的透明導電薄膜和源電極過孔內的摻雜半導體層與半導體層連接，所述漏電極通過其下方的透明導電薄膜和漏電極過孔內的摻雜半導體層與半導體層連接，所述源電極與漏電極之間形成TFT溝道區(qū)域。

5.根據(jù)權利要求3所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述源電極通過其下方的透明導電薄膜和源電極過孔內的摻雜半導體層與半導體層連接，所述漏電極為與像素電極相互連接成一體結構的透明漏電極，所述透明漏電極通過漏電極過孔內的摻雜半導體層與半導體層連接，所述源電極與透明漏電極之間形成TFT溝道區(qū)域。

6.一種TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，包括：

步驟1、在基板上形成包括柵線和準半導體層的圖形，所述準半導體層位于柵線的上方；

步驟2、在完成前述步驟的基板上通過構圖工藝形成半導體層圖形，在所述半導體層所在位置形成包括源電極過孔和漏電極過孔的圖形，且在所述源電極過孔和漏電極過孔內的半導體層表面形成摻雜半導體層；

步驟3、在完成前述步驟的基板上通過構圖工藝形成包括像素電極、數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖形，所述源電極通過所述源電極過孔內的摻雜半導體層與半導體層連接，所述漏電極通過所述漏電極過孔內的摻雜半導體層與半導體層連接，所述源電極與漏電極之間形成TFT溝道區(qū)域圖形。

7.根據(jù)權利要求6所述的TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，所述步驟1包括：

在基板上沉積柵金屬薄膜；

采用普通掩模板通過構圖工藝形成包括柵線的圖形；

依次沉積柵絕緣層和半導體薄膜；

采用自對準光刻工藝形成包括準半導體層的圖形，所述準半導體層位于柵線的上方。

8.根據(jù)權利要求6所述的TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，所述步驟2包括：

在完成步驟1的基板上沉積鈍化層；

在鈍化層上涂敷一層光刻膠；

采用半色調或灰色調掩模板對光刻膠進行曝光，顯影后使光刻膠形成光刻膠完全去除區(qū)域、光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠部分保留區(qū)域，其中光刻膠完全去除區(qū)域對應于除薄膜晶體管和數(shù)據(jù)線所在位置以外的柵線圖形所在區(qū)域，光刻膠部分保留區(qū)域對應于源電極過孔和漏電極過孔圖形所在區(qū)域，光刻膠完全保留區(qū)域對應于上述圖形以外區(qū)域；

通過第一次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域的鈍化層、準半導體層和柵絕緣層，形成包括半導體層的圖形；

通過灰化工藝完全去除光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠，暴露出該區(qū)域的鈍化層；

通過第二次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠部分保留區(qū)域的鈍化層，在半導體層所在位置形成包括源電極過孔和漏電極過孔的圖形；

使用磷烷或氨氣電離后離子注入到源電極過孔和漏電極過孔內，使暴露出來的半導體層表面形成摻雜半導體層；

剝離剩余的光刻膠。