[發明專利]液晶顯示基板及液晶面板

有效

• 申請號: 200910092557.1
• 申請日: 2009-09-11
• 公開（公告）號: CN102023405A
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發明（設計）人: 郭建;周偉峰;明星;肖光輝
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1333
• 分類號: G02F1/1333;G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術領域

本發明涉及液晶顯示技術領域，尤其涉及一種液晶顯示基板及液晶面板。

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示器(Thin?Film?Transistor-Liquid?Crystal?Display，TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射、制造成本相對較低等特點，在當前的平板顯示器市場占據了主導地位。

TFT-LCD器件的液晶顯示面板是由陣列基板和彩膜基板對盒而形成的；在TFT-LCD的制造過程中，通過對盒工藝將彩膜基板和陣列基板相互貼合到一起，然后注入液晶從而形成完整的液晶顯示面板。

對盒工序除了對貼合工藝的精度有嚴格的要求之外，同時也要求陣列基板和彩膜基板之間的圖形尺寸要保持嚴格的一致性。如果兩個基板的圖形尺寸之間存在偏差，比如其中一塊基板上的圖形尺寸偏大，那么貼合到一起之后，陣列基板上的像素結構和彩膜基板上的光阻、黑矩陣等結構就會產生對位偏差，從而產生漏光的不良現象。

在TFT-LCD的實際制作過程當中，發明人發現現有技術中至少存在如下問題：

以陣列基板的制作為例，在玻璃基板上需要沉積各種類型的薄膜，例如SiNx(氮化硅)，a-Si(非晶硅)，N+a-Si(摻雜非晶硅)，AlNd(鋁釹合金)，ITO(納米銦錫金屬氧化物)層等金屬或非金屬薄膜；然而，上述不同的薄膜在進行沉積前后的溫度差異會導致薄膜晶格之間的間距產生變化，進而帶動薄膜所覆蓋的玻璃基板產生相應的形變，因此在沉積不同類型的薄膜時，玻璃基板就會產生不同的形變。例如沉積a-Si層時，玻璃基板會產生向外擴張的形變；而沉積ITO層時，玻璃基板則會產生向內收縮的形變。

只要陣列基板和彩膜基板中有一個的玻璃基板產生了形變，那么陣列基板和彩膜基板上的圖形就很難保持嚴格的一致性，也就很容易產生對位偏差而導致漏光不良。

發明內容

本發明的實施例提供一種液晶顯示基板及液晶面板，能夠糾正玻璃基板的形變，避免陣列基板和彩膜基板之間的圖形對位偏差。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

一種液晶顯示基板，該液晶顯示基板上包含有至少一個圖形區域、以及所述圖形區域周邊的切割區域；其中，在所述切割區域形成有壓電薄膜，且所述壓電薄膜的兩端連接有引線。

一種液晶面板，包括第一液晶顯示基板和第二液晶顯示基板，且所述第一液晶顯示基板和第二液晶顯示基板上均包含有至少一個圖形區域、以及所述圖形區域周邊的切割區域；其中，在所述第一液晶顯示基板和/或第二液晶顯示基板的切割區域形成有壓電薄膜，且所述壓電薄膜的兩端連接有引線。

本發明實施例提供的液晶顯示基板及液晶面板，通過在圖形區域以外的切割區域設置壓電薄膜，利用壓電薄膜在外電場作用下會產生形變的逆壓電效應來控制所述壓電薄膜的變形，進而帶動壓電薄膜所依附的基板產生形變；這樣，在所述壓電薄膜所依附的基板出現形變而影響到陣列基板和彩膜基板之間的正常圖形對位時，就可以通過對所述壓電薄膜施加不同的電壓值來控制其形變程度，進而糾正該壓電薄膜依附的基板的形變。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明實施例一提供的液晶顯示基板的結構示意圖；

圖2為圖1中壓電薄膜沿A-A線的剖視圖；

圖3為本發明實施例二提供的液晶顯示基板的結構示意圖；

圖中標記：1-圖形區域；2-切割區域；3-壓電薄膜；31-橫向壓電薄膜；32-縱向壓電薄膜；4-加電電極；5-引線；6-玻璃基板；7-絕緣層。

具體實施方式

下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。

結合圖1所示，本發明實施例提供一種液晶顯示基板，在該液晶顯示基板上包含有至少一個圖形區域1、以及所述圖形區域1周邊的切割區域2；其中，在所述切割區域2上形成有壓電薄膜3，且所述壓電薄膜3的兩端連接有引線，壓電薄膜3可通過所述引線連接到供電端。