[發明專利]一種制備單晶硅絨面的腐蝕液及方法

無效

• 申請號: 200910091826.2
• 申請日: 2009-08-26
• 公開（公告）號: CN101634026A
• 公開（公告）日: 2010-01-27
• 發明（設計）人: 許穎;勾憲芳;勵旭東;宋爽;張燕鵬;謝芳吉
• 申請（專利權）人: 北京市太陽能研究所有限公司;江蘇艾德太陽能科技有限公司
• 主分類號: C23F1/32
• 分類號: C23F1/32;C30B33/10;H01L31/18
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司
• 代理人: 徐 寧

1、一種制備單晶硅絨面的腐蝕液，它包括堿溶液、硅酸鈉和異丙醇，其特征在于：它還包括體積百分比為0.2％～1％濃度范圍為5*10^-5～5*10^-3mol/L的全氟辛酸鹽水溶液。

2、如權利要求1所述的一種制備單晶硅絨面的腐蝕液，其特征在于：所述堿溶液的質量百分比為1％～2.5％，所述硅酸鈉的質量百分比為0.1％～2％，所述異丙醇的體積百分比為0.3％～2％。

3、如權利要求1所述的一種制備單晶硅絨面的腐蝕液，其特征在于：所述堿溶液為氫氧化鈉或氫氧化鉀或碳酸鈉。

4、一種使用如權利要求1～3中任一項所述的腐蝕液制備單晶硅絨面的方法，其特征在于：將未清洗的或粗拋的P型或N型單晶硅放入所述腐蝕液中進行腐蝕反應，反應溫度范圍為75～85℃，腐蝕時間范圍為5～18min。

5、如權利要求4所述的一種制備單晶硅絨面的方法，其特征在于：經腐蝕反應后的所述單晶硅表面形成金字塔邊長為0.5～8μm均勻的絨面。

6、如權利要求4或5所述的一種制備單晶硅絨面的方法，其特征在于：被腐蝕掉的單晶硅厚度為5～15μm。