[發(fā)明專利]TFT-LCD陣列基板及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910090700.3
• 申請日: 2009-09-08
• 公開（公告）號: CN102012589A
• 公開（公告）日: 2011-04-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 明星;周偉峰;郭建;趙鑫;張文余
• 申請（專利權(quán)）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/82
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 曲鵬

1.一種TFT-LCD陣列基板，包括形成在基板上的柵線、數(shù)據(jù)線、像素電極和薄膜晶體管，其特征在于，還包括遮擋柵線、數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管的黑矩陣，所述黑矩陣為樹脂材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述黑矩陣上形成有鈍化層，所述像素電極形成在鈍化層上并通過鈍化層過孔與薄膜晶體管的漏電極連接，所述像素電極的邊緣與黑矩陣交疊。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述像素電極形成在黑矩陣上，所述像素電極的邊緣與黑矩陣交疊，并與薄膜晶體管的漏電極直接連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一權(quán)利要求所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，還包括作為柵線與數(shù)據(jù)線之間絕緣層的彩色樹脂層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述柵線和薄膜晶體管的柵電極形成在基板上，其上形成彩色樹脂層，所述彩色樹脂層包括紅色樹脂圖形、藍(lán)色樹脂圖形和綠色樹脂圖形。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述彩色樹脂層厚度為1.5μm～3μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管的有源層形成在彩色樹脂層上并位于柵電極的上方，所述薄膜晶體管的源電極與數(shù)據(jù)線連接，所述薄膜晶體管的漏電極與像素電極連接，所述源電極與漏電極之間形成TFT溝道區(qū)域。

8.一種TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，包括：

步驟1、在基板上沉積柵金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括柵電極和柵線的圖形；

步驟2、在完成前述步驟的基板上形成作為柵絕緣層的彩色樹脂層；

步驟3、在完成前述步驟的基板上沉積半導(dǎo)體薄膜、摻雜半導(dǎo)體薄膜和源漏金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括有源層、數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和TFT溝道的圖形；

步驟4、在完成前述步驟的基板上涂敷黑矩陣材料薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括黑矩陣的圖形，所述黑矩陣位于柵線、數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和TFT溝道區(qū)域的上方；

步驟5、在完成前述步驟的基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括像素電極的圖形，所述像素電極的邊緣與黑矩陣交疊，所述像素電極與漏電極連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，所述步驟4與步驟5之間包括：在完成前述步驟的基板上沉積鈍化層，通過構(gòu)圖工藝形成包括使像素電極與漏電極連接的鈍化層過孔的圖形。

10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，所述步驟3包括：

在完成前述步驟的基板上，采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法，依次沉積半導(dǎo)體薄膜和摻雜半導(dǎo)體薄膜；

采用磁控濺射或熱蒸發(fā)的方法，沉積源漏金屬薄膜；

在所述源漏金屬薄膜上涂敷一層光刻膠；

采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板曝光，使光刻膠形成光刻膠完全去除區(qū)域、光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠部分保留區(qū)域；光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖形所在區(qū)域，光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)于TFT溝道區(qū)域的圖形所在區(qū)域，光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外的區(qū)域；顯影處理后，光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠厚度沒有變化，光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠厚度減少；

通過第一次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域的源漏金屬薄膜、摻雜半導(dǎo)體薄膜和半導(dǎo)體薄膜，形成包括有源層和數(shù)據(jù)線的圖形；

通過灰化工藝去除光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠，暴露出該區(qū)域的源漏金屬薄膜；

通過第二次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠部分保留區(qū)域的源漏金屬薄膜和摻雜半導(dǎo)體薄膜，并刻蝕掉部分厚度的半導(dǎo)體薄膜，形成包括TFT溝道區(qū)域的圖形；

剝離剩余的光刻膠。

11.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，所述步驟4包括：

在完成前述步驟的基板上，采用旋轉(zhuǎn)涂敷的方法，涂敷黑矩陣材料薄膜；

采用普通掩模板通過構(gòu)圖工藝形成包括黑矩陣的圖形，所述黑矩陣位于柵線、數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和TFT溝道區(qū)域的上方。