[發明專利]一種電化學超微組合電極及其制備方法

無效

• 申請號: 200910089731.7
• 申請日: 2009-07-22
• 公開（公告）號: CN101603939A
• 公開（公告）日: 2009-12-16
• 發明（設計）人: 胡文平;李濤;董煥麗
• 申請（專利權）人: 中國科學院化學研究所
• 主分類號: G01N27/30
• 分類號: G01N27/30;G03F7/20;B81C1/00;B81C5/00
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司
• 代理人: 關 暢;任鳳華

1、一種電化學超微組合電極的制備方法，所述電化學超微組合電極中至少包括一個超微工作電極和一個超微準參比電極，

所述超微工作電極和所述超微準參比電極由同種金屬制成，所述方法包括下述步驟：

1)采用光刻技術將超微電極圖形轉移到基片上；

2)在所述基片上蒸鍍制備電極的金屬層；

3)將步驟2)得到的基片置于有機溶劑中進行剝離處理；

4)在步驟3)得到的基片上再次采用光刻技術，甩涂光刻膠、曝光、顯影、定影，刻蝕掉覆蓋所述超微電極的部分光刻膠，形成具有所述電化學超微組合電極的電解槽；所述刻蝕掉覆蓋所述超微電極的部分光刻膠的位置中裸露的電極至少有一維度尺寸不大于25um，所述電解槽中至少包括一個超微工作電極和一個超微準參比電極；

所述工作電極和所述準參比電極由不同種金屬制成，所述方法還包括在所述步驟3)后、所述步驟4)前的下述步驟：

a)采用光刻技術將超微電極圖形轉移到基片上；

b)在所述基片上蒸鍍另一種制備電極的金屬層；

c)將步驟b)得到的基片置于有機溶劑中進行剝離處理；

所述超微工作電極和所述超微準參比電極的制備順序可以互換。

2、根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟4)中甩涂光刻膠的厚度為0.2-1.5um，所述刻蝕掉覆蓋所述超微電極的部分光刻膠的面積小于等于150um2。

3、根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述步驟1)和步驟a)中的光刻技術為光學曝光；所述方法還包括：在所述步驟1)前設計光刻掩膜板的步驟。

4、根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述步驟1)和步驟a)中的光刻技術為電子束曝光。

5、根據權利要求1-4中任一所述的方法，其特征在于：所述超微工作電極由金或鉑制成；所述超微準參比電極由金、銀或鉑制成。

6、根據權利要求1-5中任一所述的方法，其特征在于：所述電化學超微組合電極中還包括對電極；所述對電極由金或鉑制成。

7、根據權利要求1-6中任一所述的方法，其特征在于：所述步驟2)中金屬層的厚度為30-100nm；所述步驟b)中金屬層的厚度為30-100nm。

8、根據權利要求1-7中任一所述的方法，其特征在于：所述方法還包括在所述步驟2)和步驟b)前在所述基片上蒸鍍金屬黏附層的步驟；所述金屬黏附層由鉻或鈦制成，所述金屬黏附層的厚度為3-10nm。

9、權利要求1-8中任一所述方法制備得到的電化學超微組合電極。