[發(fā)明專利]TFT-LCD陣列基板及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910088925.5
• 申請日: 2009-07-14
• 公開（公告）號: CN101957528A
• 公開（公告）日: 2011-01-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 彭志龍;董云;劉玉清
• 申請（專利權(quán)）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/82
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 曲鵬

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管液晶顯示器及其制造方法，尤其是一種TFT-LCD陣列基板及其制造方法。

背景技術(shù)

薄膜晶體管液晶顯示器(Thin?Film?Transistor?Liquid?CrystalDisplay，簡稱TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射等特點(diǎn)，在當(dāng)前平板顯示器市場中占據(jù)了主導(dǎo)地位。對TFT-LCD來說，陣列基板的結(jié)構(gòu)在很大程度上決定了成品率和價(jià)格。TFT-LCD陣列基板的制造是通過多組沉積和構(gòu)圖工藝形成不同的薄膜圖形來完成，每層薄膜沉積后，通過光刻膠涂覆、掩模、曝光、刻蝕和光刻膠剝離等工藝形成一層薄膜圖形，最終由多層薄膜圖形構(gòu)成TFT-LCD陣列基板。

目前，TFT-LCD陣列基板制造中的微粒(Particle)問題一直是影響產(chǎn)品成品率的重要問題。當(dāng)環(huán)境中的微粒在薄膜沉積過程中落在基板上時(shí)，將導(dǎo)致薄膜圖形之間出現(xiàn)電學(xué)相連。實(shí)際生產(chǎn)表明，微粒造成柵線與數(shù)據(jù)線短路情況最為嚴(yán)重，發(fā)生率在1％～5％之間，造成產(chǎn)品返修甚至報(bào)廢。長期以來，現(xiàn)有技術(shù)解決微粒導(dǎo)致柵線與數(shù)據(jù)線短路問題的主要手段是環(huán)境管理和設(shè)備管理，不僅費(fèi)用高，而且收效不大。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種TFT-LCD陣列基板及其制造方法，有效克服現(xiàn)有TFT-LCD陣列基板制造中微粒造成柵線與數(shù)據(jù)線短路的缺陷。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種TFT-LCD陣列基板，包括形成在基板上的柵線、數(shù)據(jù)線、像素電極和薄膜晶體管，所述柵線的側(cè)面設(shè)置有用于避免柵線與數(shù)據(jù)線短路的隔離壩。

所述隔離壩為形成在柵線一側(cè)或兩側(cè)并與數(shù)據(jù)線交疊的條狀體，所述條狀體與柵線同層設(shè)置。

所述條狀體為與柵線平行的矩形條，或向柵線凸起的弧形條。

所述條狀體為一體結(jié)構(gòu)，或由至少二個(gè)條狀塊以間斷方式依次排列組成。

在上述技術(shù)方案基礎(chǔ)上，所述隔離壩的寬度為2μm～4μm，與柵線之間的距離為1.5μm～2.5μm。所述基板上還形成有與像素電極構(gòu)成存儲電容的公共電極線，所述公共電極線的側(cè)面設(shè)置有隔離壩。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種TFT-LCD陣列基板制造方法，包括：

步驟1、在基板上沉積柵金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括柵電極、柵線和隔離壩的圖形，條狀體的隔離壩形成在柵線的一側(cè)或兩側(cè)；

步驟2、在完成步驟1的基板上通過薄膜沉積和構(gòu)圖工藝形成有源層、數(shù)據(jù)線、漏電極、源電極和TFT溝道區(qū)域的圖形，所述數(shù)據(jù)線與隔離壩交疊；

步驟3、在完成步驟2的基板上沉積鈍化層，通過構(gòu)圖工藝形成包括鈍化層過孔的圖形，所述鈍化層過孔位于漏電極的所在位置；

步驟4、在完成步驟3的基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括像素電極的圖形，所述像素電極通過鈍化層過孔與漏電極連接。

所述步驟2可以包括：采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法，依次沉積柵絕緣層、半導(dǎo)體薄膜和摻雜半導(dǎo)體薄膜；采用磁控濺射或熱蒸發(fā)的方法，沉積源漏金屬薄膜；在源漏金屬薄膜上涂覆一層光刻膠；采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板曝光，使光刻膠形成光刻膠完全去除區(qū)域、光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠半保留區(qū)域；光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖形所在區(qū)域，光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)于TFT溝道區(qū)域圖形所在區(qū)域，光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外的區(qū)域；顯影處理后，光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠厚度沒有變化，光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠厚度減少；通過第一次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域的源漏金屬薄膜、摻雜半導(dǎo)體薄膜和半導(dǎo)體薄膜，形成包括有源層和數(shù)據(jù)線的圖形，數(shù)據(jù)線與隔離壩交疊；通過灰化工藝去除光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠，暴露出該區(qū)域的源漏金屬薄膜；通過第二次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠半保留區(qū)域的源漏金屬薄膜和摻雜半導(dǎo)體薄膜，并刻蝕掉部分厚度的半導(dǎo)體薄膜，形成包括TFT溝道區(qū)域的圖形；剝離剩余的光刻膠。

所述步驟2也可以包括：采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法，依次沉積柵絕緣層、半導(dǎo)體薄膜和摻雜半導(dǎo)體薄膜；采用普通掩模板通過構(gòu)圖工藝形成包括有源層的圖形；采用磁控濺射或熱蒸發(fā)的方法，沉積源漏金屬薄膜；采用普通掩模板通過構(gòu)圖工藝形成包括數(shù)據(jù)線、漏電極、源電極和TFT溝道區(qū)域的圖形，所述數(shù)據(jù)線與隔離壩交疊。

在上述技術(shù)方案基礎(chǔ)上，所述步驟1包括：在基板上沉積柵金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括柵電極、柵線、公共電極線和隔離壩的圖形，其中，條狀體的隔離壩分別設(shè)置在柵線和公共電極線的一側(cè)或兩側(cè)。