[發明專利]TFT-LCD陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 200910088925.5
• 申請日: 2009-07-14
• 公開（公告）號: CN101957528A
• 公開（公告）日: 2011-01-26
• 發明（設計）人: 彭志龍;董云;劉玉清
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/82
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 曲鵬

1.一種TFT-LCD陣列基板，包括形成在基板上的柵線、數據線、像素電極和薄膜晶體管，其特征在于，所述柵線的側面設置有用于避免柵線與數據線短路的隔離壩。

2.根據權利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述隔離壩為形成在柵線一側或兩側并與數據線交疊的條狀體，所述條狀體與柵線同層設置。

3.根據權利要求2所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述條狀體為與柵線平行的矩形條，或向柵線凸起的弧形條。

4.根據權利要求3所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述條狀體為一體結構，或由至少二個條狀塊以間斷方式依次排列組成。

5.根據權利要求1～4中任一權利要求所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述隔離壩的寬度為2μm～4μm，與柵線之間的距離為1.5μm～2.5μm。

6.根據權利要求1～4中任一權利要求所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述基板上還形成有與像素電極構成存儲電容的公共電極線，所述公共電極線的側面設置有隔離壩。

7.一種TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，包括：

步驟1、在基板上沉積柵金屬薄膜，通過構圖工藝形成包括柵電極、柵線和隔離壩的圖形，條狀體的隔離壩形成在柵線的一側或兩側；

步驟2、在完成步驟1的基板上通過薄膜沉積和構圖工藝形成有源層、數據線、漏電極、源電極和TFT溝道區域的圖形，所述數據線與隔離壩交疊；

步驟3、在完成步驟2的基板上沉積鈍化層，通過構圖工藝形成包括鈍化層過孔的圖形，所述鈍化層過孔位于漏電極的所在位置；

步驟4、在完成步驟3的基板上沉積透明導電薄膜，通過構圖工藝形成包括像素電極的圖形，所述像素電極通過鈍化層過孔與漏電極連接。

8.根據權利要求7所述的TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，所述步驟2包括：

采用等離子體增強化學氣相沉積方法，依次沉積柵絕緣層、半導體薄膜和摻雜半導體薄膜；

采用磁控濺射或熱蒸發的方法，沉積源漏金屬薄膜；

在所述源漏金屬薄膜上涂覆一層光刻膠；

采用半色調或灰色調掩模板曝光，使光刻膠形成光刻膠完全去除區域、光刻膠完全保留區域和光刻膠半保留區域；光刻膠完全保留區域對應于數據線、源電極和漏電極的圖形所在區域，光刻膠半保留區域對應于TFT溝道區域圖形所在區域，光刻膠完全去除區域對應于上述圖形以外的區域；顯影處理后，光刻膠完全保留區域的光刻膠厚度沒有變化，光刻膠完全去除區域的光刻膠被完全去除，光刻膠半保留區域的光刻膠厚度減少；

通過第一次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠完全去除區域的源漏金屬薄膜、摻雜半導體薄膜和半導體薄膜，形成包括有源層和數據線的圖形，所述數據線與隔離壩交疊；

通過灰化工藝去除光刻膠半保留區域的光刻膠，暴露出該區域的源漏金屬薄膜；

通過第二次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠半保留區域的源漏金屬薄膜和摻雜半導體薄膜，并刻蝕掉部分厚度的半導體薄膜，形成包括TFT溝道區域的圖形；

剝離剩余的光刻膠。

9.根據權利要求7所述的TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，所述步驟2包括：

采用等離子體增強化學氣相沉積方法，依次沉積柵絕緣層、半導體薄膜和摻雜半導體薄膜；

采用普通掩模板通過構圖工藝形成包括有源層的圖形；

采用磁控濺射或熱蒸發的方法，沉積源漏金屬薄膜；

采用普通掩模板通過構圖工藝形成包括數據線、漏電極、源電極和TFT溝道區域的圖形，所述數據線與隔離壩交疊。

10.根據權利要求7、8或9所述的TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，所述步驟1包括：在基板上沉積柵金屬薄膜，通過構圖工藝形成包括柵電極、柵線、公共電極線和隔離壩的圖形，其中，條狀體的隔離壩分別設置在柵線和公共電極線的一側或兩側。