[發明專利]一種鍍膜工藝控制方法及控制系統

有效

• 申請號: 200910087670.0
• 申請日: 2009-06-25
• 公開（公告）號: CN101592926A
• 公開（公告）日: 2009-12-02
• 發明（設計）人: 馬平
• 申請（專利權）人: 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司
• 主分類號: G05B19/04
• 分類號: G05B19/04
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產權代理有限公司
• 代理人: 蘇培華

技術領域

本發明涉及鍍膜工藝技術領域，特別是涉及一種鍍膜工藝控制方法及控制系統。

背景技術

等離子體增強化學氣相沉積(PECVD，全稱plasma?enhanced?chemicalvapor?deposition)設備，是制造工藝中最理想的鍍膜設備之一，主要用射頻等離子增強化學氣相沉積的方法制備各種薄膜。

在晶硅太陽能電池制造設備中，PECVD設備用來對多個硅片進行鍍膜工藝。鍍膜工藝的過程就是在既定的工藝條件下，如工藝腔室加熱到一定溫度，工藝腔室的壓力穩定在工藝要求的范圍內，按照一定的比例對腔室通入多種氣體，然后對射頻設備加一定的電壓，通過電離工藝氣體對硅片進行鍍膜工藝。

目前，PECVD設備鍍膜工藝中，工藝條件所涉及到的參數，采用人機交互配置的方式實現，即在人機交互的平臺完成，所述參數包括有溫度值、壓力值、流量值、時間值和電壓值，具體實現步驟如下：

首先，針對當前所要鍍膜的硅片，設置需要的配置參數；

其次，工藝人員根據設置好的配置參數設置所需的溫度值、壓力值、流量值、時間值和電壓值，軟件對各個參數的值進行保存；

再次，按照設置好的配置參數及相應參數值執行工藝流程，完成鍍膜工藝；

最后，對工控腔室的各個設備進行恢復操作，使腔室恢復到不做工藝時候的狀態。

上述步驟是對一批硅片進行鍍膜的處理，當對下一批采用不同參數的硅片進行鍍膜時，工藝人員需要根據軟件提供的新配置參數輸入新的配置參數值。因此，如果對一批一批的硅片采用不同的參數，要求連續進行時，工藝人員需要手動的修改參數，會影響自動化量產，而且手動輸入的過程中難免?會出現錯誤。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種鍍膜工藝控制方法及控制系統，能夠準確的實現多批次鍍膜工藝采用不同配置參數及相應參數值的連續進行，完成自動化量產要求。

為了解決上述問題，本發明公開了一種鍍膜工藝控制方法，包括：

針對多批次的鍍膜工藝，通過定義對象來編寫每批鍍膜工藝需要的配置參數及相應參數值并保存；其中，所述每批鍍膜工藝需要的配置參數及相應參數值包括單步或多步的配置參數及相應參數值；

在每批鍍膜工藝流程中，自動獲取當前批次的配置參數及相應參數值；

根據所獲取的配置參數及相應參數值，執行鍍膜工藝流程。

優選的，所述通過定義對象來編寫每批鍍膜工藝需要的配置參數及相應參數值并保存，包括：

針對每批鍍膜工藝定義一個對象，在每批鍍膜工藝定義的對象中：

針對單步鍍膜工藝定義一個單步對象，單步鍍膜工藝需要的配置參數定義為單步對象的屬性，相應參數值定義為屬性值；

針對多步鍍膜工藝定義一個對象數組，其中每步鍍膜工藝為對象數組中的一個對象，每步鍍膜工藝需要的配置參數定義為相應對象的屬性，相應參數值定義為屬性值；

將多批鍍膜工藝定義的對象通過哈希表保存。

優選的，所述方法通過以下方式保存配置參數及相應參數值：

將多批次的鍍膜工藝需要的配置參數及相應參數值序列化為一個文件后進行保存；

通過以下方式自動獲取當前批次的配置參數及相應參數值：

將所保存的文件進行反序列化，然后根據每批鍍膜工藝的標識獲取當前批次的配置參數及相應參數值。

其中，所述鍍膜工藝為對硅片的鍍膜工藝。

本發明還提供了一種鍍膜工藝控制系統，包括：

配置單元，用于針對多批次的鍍膜工藝，通過定義對象來編寫每批鍍膜工藝需要的配置參數及相應參數值并保存；其中，所述每批鍍膜工藝需要的配置參數及相應參數值包括單步或多步的配置參數及相應參數值；

參數獲取單元，用于在每批鍍膜工藝中，自動獲取當前批次的配置參數及相應參數值；

工藝執行單元，用于根據所獲取的配置參數及相應參數值，執行鍍膜工藝流程。

優選的，所述配置單元包括：

對象定義子單元，用于針對每批鍍膜工藝定義一個對象，在每批鍍膜工藝定義的對象中：針對單步鍍膜工藝定義一個單步對象；針對多步鍍膜工藝定義一個對象數組，其中每步鍍膜工藝為對象數組中的一個對象；

屬性定義子單元，用于針對單步鍍膜工藝需要的配置參數定義為單步對象的屬性，相應參數值定義為屬性值；多步鍍膜工藝中，每步鍍膜工藝需要的配置參數定義為相應對象的屬性，相應參數值定義為屬性值；

存儲子單元，用于將多批鍍膜工藝定義的對象通過哈希表保存。

優選的，所述系統還包括：