[發明專利]一種加熱方法、裝置及基片處理設備

有效

• 申請號: 200910087117.7
• 申請日: 2009-06-11
• 公開（公告）號: CN101924016A
• 公開（公告）日: 2010-12-22
• 發明（設計）人: 鄭能濤
• 申請（專利權）人: 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/324;H01L21/66
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 張天舒;陳源

1.一種加熱方法，用于在基片處理設備的工藝腔室中，對載板及其所承載的待加工工件進行加熱，直至達到工藝所需的目標溫度T^*，其特征在于，該方法包括下述步驟：

100)檢測所述載板的平面度并判斷載板是否出現變形，如果是，則不對所述載板進行加熱，而使其進入恒溫狀態以消除所述變形；如果否，則對所述載板進行加熱；

200)重復步驟100，直至將所述載板及待加工工件加熱至目標溫度T^*。

2.根據權利要求1所述的加熱方法，其特征在于，在所述步驟100之前，還包括對載板及待加工工件進行加熱的步驟，而使所述載板及待加工工件的溫度達到第一溫度T1。

3.根據權利要求2所述的加熱方法，其特征在于，所述預熱溫度T1為在30～150℃范圍內的任一溫度。

4.根據權利要求3所述的加熱方法，其特征在于，所述預熱溫度T1為100℃。

5.根據權利要求1所述的加熱方法，其特征在于，步驟100中，當判斷出載板無變形后，對所述載板及待加工工件進行加熱使其溫度升高一個溫度增量ΔT。

6.根據權利要求5所述的加熱方法，其特征在于，所述溫度增量ΔT為在30～100℃范圍內的任一溫度。

7.根據權利要求6所述的加熱方法，其特征在于，所述溫度增量ΔT為50℃。

8.根據權利要求1所述的加熱方法，其特征在于，在所述步驟100中，采用激光對射傳感器和/或變形傳感器來檢測所述載板的平面度。

9.根據權利要求1所述的加熱方法，其特征在于，所述載板采用石墨材料制成。

10.一種加熱裝置，用于在基片處理設備的工藝腔室中，對載板及其所承載的待加工工件進行加熱，直至達到工藝所需的目標溫度T^*，其特征在于，該裝置包括變形檢測單元、控制單元和加熱單元，其中

所述變形檢測單元用于檢測載板的平面度，并將檢測數據傳輸至控制單元；

所述控制單元根據來自所述變形檢測單元的檢測數據，判斷所述載板是否出現變形，如果是，則使所述載板及待加工工件進入恒溫狀態，并在恒溫一段時間后再次啟動變形檢測單元；如果否，則指示所述加熱單元執行加熱操作，并在所述載板及待加工工件的溫度達到預設的階段溫度后再次啟動變形檢測單元；

所述加熱單元在所述控制單元的控制下，對所述載板及待加工工件進行加熱。

11.根據權利要求10所述的加熱裝置，其特征在于，所述預設的階段溫度包括第一溫度T1，所述第一溫度T1為30～150℃范圍內的任一溫度。

12.根據權利要求10所述的加熱裝置，其特征在于，所述預設的階段溫度包括前一階段溫度與溫度增量ΔT之和，所述溫度增量ΔT為30～100℃范圍內的任一溫度。

13.根據權利要求10所述的加熱裝置，其特征在于，所述載板采用石墨材料制成。

14.根據權利要求10所述的加熱裝置，其特征在于，所述加熱單元包括加熱電阻絲，所述變形檢測單元包括激光對射傳感器和/或變形傳感器。

15.一種基片處理設備，其包括工藝腔室和置于工藝腔室內的載板，其特征在于，應用權利要求1至9中任意一項所述的加熱方法，對所述載板及置于所述載板上的待加工工件進行加熱處理。

16.一種基片處理設備，其包括工藝腔室和置于工藝腔室內的載板，其特征在于，在所述工藝腔室內設置如權利要求10至14中任意一項所述的加熱裝置，對所述載板及置于所述載板上的待加工工件進行加熱處理。