[發明專利]二氧化碳緩沖硅片打孔裝置

有效

• 申請號: 200910083506.2
• 申請日: 2009-05-06
• 公開（公告）號: CN101880880A
• 公開（公告）日: 2010-11-10
• 發明（設計）人: 景玉鵬;惠瑜
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: C23F1/12
• 分類號: C23F1/12
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周國城

1.一種二氧化碳緩沖硅片打孔裝置，其特征在于，該裝置包括二氧化碳流量控制器(1)、三氟化氯流量控制器(2)、混合器(3)、減壓閥(4)、壓力表(5)、真空泵(6)、真空腔室(7)、真空腔壓力表(8)、噴頭(9)、掩蔽板(10)、硅片架(11)、真空腔溫度控制裝置(12)、后級泵(13)和尾氣處理裝置(14)，其中：減壓閥(4)、真空泵(6)、真空腔壓力表(8)、真空腔溫度控制裝置(12)和后級泵(13)分別連接于真空腔室(7)，二氧化碳氣體通過二氧化碳流量控制器(1)進入混合器(3)，三氟化氯氣體通過三氟化氯流量控制器(2)進入混合器(3)，二氧化碳氣體和三氟化氯氣體在混合器(3)中進行混合，混合氣體依次通過減壓閥(4)和噴頭(9)進入真空腔室(7)，然后經過掩蔽板(10)的掩蔽和束流匯聚調節，對硅片架(11)上的硅片進行打孔；真空腔室(7)通過真空腔溫度控制裝置(12)將溫度控制在室溫環境下，刻蝕完的尾氣通過后級泵(13)抽出真空腔室(7)，并由后級泵(13)進入尾氣處理裝置(14)。

2.根據權利要求1所述的二氧化碳緩沖硅片打孔裝置，其特征在于，所述三氟化氯氣體作為刻蝕反應氣體，所述二氧化碳氣體作為緩沖劑。

3.根據權利要求1所述的二氧化碳緩沖硅片打孔裝置，其特征在于，所述真空泵(6)對真空腔室(7)進行抽真空，將真空腔室(7)內的壓力維持在10^-7atm，通過真空腔壓力表(8)監視真空腔室(7)內的壓力。

4.根據權利要求1所述的二氧化碳緩沖硅片打孔裝置，其特征在于，所述二氧化碳流量控制器(1)一端連接于存儲二氧化碳氣體的鋼瓶，一端連接于混合器(3)；所述三氟化氯流量控制器(2)一端連接于存儲三氟化氯氣體的鋼瓶，一端連接于混合器(3)。

5.根據權利要求1所述的二氧化碳緩沖硅片打孔裝置，其特征在于，所述二氧化碳和三氟化氯的混合氣體經過減壓閥(4)減壓后壓力減到10Pa，并通過壓力表(5)指示壓力，此時混合氣體壓力與背景壓力比為1000。

6.根據權利要求1所述的二氧化碳緩沖硅片打孔裝置，其特征在于，所述二氧化碳和三氟化氯的混合氣體從噴頭(9)噴出，經過掩蔽板(10)的掩蔽和束流匯聚調節，打到硅片架(11)上固定的硅片上，在三氟化氯氣體的化學腐蝕的作用下，對硅片進行打孔。

7.根據權利要求1所述的二氧化碳緩沖硅片打孔裝置，其特征在于，所述尾氣處理裝置(14)采用氫氧化鈣或小蘇打對尾氣進行吸收處理。