[發明專利]提高浮柵擦除效率的方法

有效

• 申請號: 200910083467.6
• 申請日: 2009-05-06
• 公開（公告）號: CN101882576A
• 公開（公告）日: 2010-11-10
• 發明（設計）人: 李勇;劉艷;周儒領;黃淇生;詹奕鵬
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/283
• 分類號: H01L21/283;H01L21/31;H01L21/8247
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種提高浮柵擦除效率的方法，該方法包括：

在半導體襯底上依次形成浮柵FG氧化層、FG多晶硅層、氧化層-氮化層-氧化層ONO介質層、控制柵CG多晶硅層、CG氮化硅層、CG氧化硅層、CG氮化硅硬掩膜層；

在所述CG氮化硅硬掩膜層上涂布光阻膠，并圖案化該光阻膠，以該圖案化的光阻膠為掩膜，依次刻蝕所述CG氮化硅硬掩膜層、CG氧化硅層、CG氮化硅層、CG多晶硅層和ONO介質層，形成兩個CG；

在每個CG的兩側形成CG側壁層；

在所述CG側壁層的外側形成一犧牲層；

以所述CG側壁層、犧牲層以及CG為掩膜，刻蝕FG多晶硅層，形成FG；

去除所述犧牲層；

在CG側壁層和FG的外側依次形成氧化層、沉積多晶硅膜，所述多晶硅膜最終將形成擦除柵EG。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述FG和EG在水平方向上是部分重疊的。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述FG與EG在水平方向上的重疊部分在10埃至90埃之間。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述犧牲層與FG多晶硅層的刻蝕選擇比小于1∶3。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述犧牲層采用氧化層。

6.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述犧牲層采用聚合物polymer。

7.如權利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述犧牲層采用稀氫氟酸清洗。