[發(fā)明專利]一種有序介孔氧化銦的合成方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910081409.X | 申請日: | 2009-03-31 |
| 公開(公告)號: | CN101851002A | 公開(公告)日: | 2010-10-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王丹;賴小勇;毛丹;杜江 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院過程工程研究所 |
| 主分類號: | C01G15/00 | 分類號: | C01G15/00 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁揮;徐金國 |
| 地址: | 100080 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 有序 氧化 合成 方法 | ||
1.一種有序介孔氧化銦的合成方法,其以溶劑萃取處理過的介孔氧化硅為硬模板,包括如下步驟:
1)具有較大孔壁聯(lián)通孔的介孔氧化硅的制備:將表面活性劑、水和鹽酸混合攪拌至表面活性劑全部溶解,然后加入正硅酸乙酯并攪拌,靜置后于130℃水熱反應(yīng)1-5天,冷卻后抽濾、洗滌、干燥,得一白色粉末;
2)使用溶劑萃取步驟1)中的介孔氧化硅以除去其中的表面活性劑,得到具有孔徑為3-10納米的孔壁聯(lián)通孔的介孔氧化硅;
3)以步驟2)中處理過的介孔氧化硅為硬模板,將其加入到銦鹽溶液中并攪拌浸漬,以使得銦鹽溶液進入介孔氧化硅的孔道中;持續(xù)攪拌至溶劑完全揮發(fā)之后,在空氣中煅燒;
所述銦鹽為硝酸銦或氯化銦;
所述銦鹽與介孔氧化硅的質(zhì)量比為2-6∶1;
4)重復(fù)步驟3)一次或者一次以上;
5)向煅燒所得產(chǎn)物中加入氫氧化鈉溶液,攪拌后離心過濾以除去介孔氧化硅模板,得到所需的有序介孔氧化銦材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有序介孔氧化銦的合成方法,其特征在于所述步驟1)為將8.0g表面活性劑HO(CH2CH2O)20(CH2CH(CH3)O)70(CH2CH2O)20H,60g水與240g?2M鹽酸在35℃下混合,攪拌1-12小時直到表面活性劑全部溶解并且分散均勻,然后加入16.72g正硅酸乙酯,攪拌5分鐘后,轉(zhuǎn)移到一聚四氟乙烯瓶中在35℃烘箱中靜置20小時,接著在130℃水熱反應(yīng)1-5天,自然冷卻后經(jīng)抽濾,洗滌,室溫自然干燥,得到一白色粉末。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有序介孔氧化銦的合成方法,其特征在于所述步驟2)的溶劑為選自甲醇、乙醇、乙二醇、丙醇、丁醇、乙醚、乙腈、丙酮、四氫呋喃的一種或幾種混合物,或者它們與水的混合溶劑。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的有序介孔氧化銦的合成方法,其特征在于所述步驟2)的介孔氧化硅與所述溶劑的質(zhì)量比為1∶5-1∶200。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有序介孔氧化銦的合成方法,其特征在于所述步驟3)中所加入的銦鹽完全轉(zhuǎn)化成氧化銦后的體積占介孔氧化硅的孔體積的20%-40%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有序介孔氧化銦的合成方法,其特征在于所述步驟3)中的攪拌浸漬的溫度為5-80℃。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有序介孔氧化銦的合成方法,其特征在于所述步驟3)中的煅燒溫度為150-300℃,升溫速率為1-2.5℃/min,煅燒時間為2-10h。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有序介孔氧化銦的合成方法,其特征在于所述步驟5)中的氫氧化鈉溶液的濃度為2-10M。
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