[發(fā)明專利]頂柵ZnO多納米線場效應晶體管的制作方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910080917.6
• 申請日: 2009-03-25
• 公開（公告）號: CN101847581A
• 公開（公告）日: 2010-09-29
• 發(fā)明（設計）人: 徐靜波;付曉君;張海英
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28;B82B3/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周國城

1.一種制作頂柵ZnO多納米線場效應晶體管的方法，其特征在于，該方法包括：

步驟101：在襯底表面生長SiO₂介質；

步驟102：在生長的SiO₂介質上制作底層源漏電極；

步驟103：超聲降解ZnO納米線材料；

步驟104：將納米線放至底層源漏電極之上，實現多根懸浮ZnO納米線的規(guī)則排列；

步驟105：在底層源漏電極之上制作覆蓋ZnO納米線的頂層源漏電極；

步驟106：在ZnO納米線之上生長柵氧介質層；

步驟107：在柵氧介質層之上制作頂柵電極。

2.根據權利要求1所述的制作頂柵ZnO多納米線場效應晶體管的方法，其特征在于，步驟101中所述在襯底表面生長SiO₂介質采用PECVD方法。

3.根據權利要求1所述的制作頂柵ZnO多納米線場效應晶體管的方法，其特征在于，步驟102中所述在生長的SiO₂介質上制作底層源漏電極，是通過光刻、蒸發(fā)和剝離步驟實現的。

4.根據權利要求1所述的制作頂柵ZnO多納米線場效應晶體管的方法，其特征在于，所述步驟103具體包括：

將ZnO納米線材料放入異丙醇溶液內，超聲降解后，ZnO納米線被分散在溶液內，以減少一維納米線材料之間的相互纏繞。

5.根據權利要求1所述的制作頂柵ZnO多納米線場效應晶體管的方法，其特征在于，所述步驟104具體包括：

將含有ZnO納米線的溶液滴于源漏電極之間的區(qū)域，利用交流雙向介電電泳原理，在源漏電極兩端施加交流電壓，形成非均勻電場，并使電場內的中性微粒產生極化；由于非均勻電場內存在電場梯度，極化微粒兩端受到的電場庫侖力不平衡，庫侖力的合力矩將驅動微粒運動；ZnO納米線在電場的作用下，由雜亂無序的排列逐漸變?yōu)檩^一致的取向，實現批量ZnO納米線的可控驅動與初步定位；然后，再利用基于AFM的納米操控技術，精確操控指定的ZnO納米線，將納米線放至底層源漏電極之上，實現多根懸浮ZnO納米線的規(guī)則排列，與源漏電極的精確組裝，并將多余納米線撥離源漏電極。

6.根據權利要求1所述的制作頂柵ZnO多納米線場效應晶體管的方法，其特征在于，所述步驟105具體包括：

在底層源漏電極之上制作覆蓋ZnO納米線的頂層源漏電極，是通過光刻、蒸發(fā)和剝離步驟實現的。

7.根據權利要求1所述的制作頂柵ZnO多納米線場效應晶體管的方法，其特征在于，步驟107中所述在柵氧介質層之上制作頂柵電極，是通過光刻、蒸發(fā)和剝離步驟實現的。