[發明專利]一種制備浮柵型非易失性存儲器中復合俘獲層的方法

有效

• 申請號: 200910077369.1
• 申請日: 2009-02-19
• 公開（公告）號: CN101814430A
• 公開（公告）日: 2010-08-25
• 發明（設計）人: 劉明;劉璟;王琴;龍世兵
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;H01L21/324;H01L21/8247;C23C16/00;B82B3/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周國城

1.一種制備浮柵型非易失性存儲器中復合俘獲層的方法，其特征在于，該方法包括：

選擇至少兩種前驅體在隧穿介質層上采用化學氣相淀積方法生長俘獲層；

在生長俘獲層的過程中，關閉其中一種或幾種前驅體，僅保留含有納米晶材料組分的前驅體進行淀積，以形成納米晶材料過剩的內嵌薄層，其中該內嵌薄層厚度為1～3nm；

形成內嵌薄層后，恢復原工藝條件，打開所有前驅體繼續生長俘獲層；

生長完畢，快速熱處理形成納米晶與俘獲層堆疊的復合俘獲層結構。

2.根據權利要求1所述的制備浮柵型非易失性存儲器中復合俘獲層的方法，其特征在于，該方法采用LPCVD、PECVD或ALD設備，通過對工藝的控制形成復合俘獲結構。

3.根據權利要求1所述的制備浮柵型非易失性存儲器中復合俘獲層的方法，其特征在于，所述選擇的前驅體材料包括Si₃N₄、SiON、RuO₂、NiO₂、HfSiO_x、HfSiON、HfAlO_x、Al₂O₃或AlN中的至少兩種。

4.根據權利要求1所述的制備浮柵型非易失性存儲器中復合俘獲層的方法，其特征在于，所述選擇的至少兩種前驅體，其中一種為只含有納米晶材料組分。

5.根據權利要求1所述的制備浮柵型非易失性存儲器中復合俘獲層的方法，其特征在于，所述俘獲層中內嵌的納米晶薄層為Si、Al、Ni或Ru材料。

6.根據權利要求1所述的制備浮柵型非易失性存儲器中復合俘獲層的方法，其特征在于，所述生長完畢后，經適當的高溫快速熱退火工藝形成納米晶薄層嵌入俘獲層的復合俘獲結構，其中該薄層厚度為1～3nm。