[發(fā)明專利]有機(jī)染料分子敏化非晶硅/微晶硅太陽(yáng)電池的制備方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910076560.4
• 申請(qǐng)日: 2009-01-07
• 公開（公告）號(hào): CN101488560A
• 公開（公告）日: 2009-07-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張長(zhǎng)沙;王占國(guó);石明吉;彭文博;劉石勇;肖海波;廖顯伯;孔光臨;曾湘波
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
• 主分類號(hào): H01L51/48
• 分類號(hào): H01L51/48
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 周長(zhǎng)興

1.一種有機(jī)染料分子敏化非晶硅/微晶硅太陽(yáng)電池的制備方法，其主要步驟如下：

步驟1：在透明或者非透明導(dǎo)電襯底上沉積一層PIN結(jié)構(gòu)電池的P層或N層；

步驟2：在P層或N層上沉積酞菁鋅薄膜與非晶硅薄膜的PIN結(jié)構(gòu)的復(fù)合本征I層，或酞菁鋅薄膜與微晶硅薄膜的PIN結(jié)構(gòu)的復(fù)合本征I層；

步驟3：在復(fù)合本征I層上沉積一層PIN結(jié)構(gòu)電池的N層或P層；

步驟4：在所沉積的N層或P層之上制備導(dǎo)電電極；

步驟5：對(duì)所制備的電池進(jìn)行連接、測(cè)試、封裝。

2.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其中，步驟1和步驟3中的沉積方法可任選下列方法之一：

(1)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積；

(2)熱絲化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)；

(3)光化學(xué)氣相沉積；

(4)真空蒸發(fā)；

(5)高溫分解；

(6)擴(kuò)展熱等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)；

(7)熱絲輔助微波電子回旋共振化學(xué)氣相沉積方法。

3.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其中，步驟2中的復(fù)合本征I層，為先沉積酞菁鋅薄膜，然后沉積非晶硅或微晶硅薄膜。

4.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其中，步驟2中的復(fù)合本征I層，為先沉積非晶硅或微晶硅薄膜，然后沉積酞菁鋅薄膜。

5.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其中，步驟2中的復(fù)合本征I層，是在P層或N層之上同時(shí)沉積酞菁鋅薄膜與非晶硅薄膜，或酞菁鋅薄膜與微晶硅薄膜。

6.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其中，步驟2中，沉積酞菁鋅薄膜的條件是：襯底溫度15-200℃，酞菁鋅的蒸發(fā)溫度為250-300℃，蒸發(fā)源與襯底的距離為5-35cm，酞菁鋅的膜厚度為5～100nm。

7.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其中，步驟2中的非晶硅薄膜厚度為200-600nm。

8.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其中，步驟2中的微晶硅薄膜厚度為400-2000nm。