[發明專利]等離子體處理設備及其氣體分配裝置有效
| 申請號: | 200910076481.3 | 申請日: | 2009-01-04 |
| 公開(公告)號: | CN101770933A | 公開(公告)日: | 2010-07-07 |
| 發明(設計)人: | 魏民;張風港 | 申請(專利權)人: | 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;C23C16/455;C23F4/00;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 魏曉波;逯長明 |
| 地址: | 100016 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 等離子體 處理 設備 及其 氣體 分配 裝置 | ||
1.一種氣體分配裝置,用于等離子體處理設備,包括水平設置并呈方形的氣體分配板,其特征在于,所述氣體分配板的頂部具有相平行的多條第一輸氣通道和多條第二輸氣通道;所述第一輸氣通道和所述第二輸氣通道交替設置,且均自所述氣體分配板的第一側延伸至與所述第一側相對的第二側;所述第一輸氣通道和所述第二輸氣通道均一端進氣而另一端封閉,且兩者的氣體流向相反;所述第一輸氣通道和所述第二輸氣通道的底部均設有多個貫穿所述氣體分配板的送氣孔,各所述送氣孔沿氣體流動方向排列。
2.如權利要求1所述的氣體分配裝置,其特征在于,所述氣體分配板的頂壁具有多條平行并自所述第一側延伸至所述第二側的凹槽,所述凹槽之上緊密覆蓋有條形殼體,以便形成所述第一輸氣通道以及所述第二輸氣通道。
3.如權利要求1所述的氣體分配裝置,其特征在于,所述氣體分配板的頂部緊密連接與其形狀相同的蓋板,所述第一輸氣通道和所述第二輸氣通道設置于所述氣體分配板與所述蓋板之間。
4.如權利要求1至3任一項所述的氣體分配裝置,其特征在于,沿氣體流動方向,各所述送氣孔的橫截面積逐漸加大。
5.如權利要求4所述的氣體分配裝置,其特征在于,沿氣體流動方向,相鄰的所述送氣孔的間距逐漸減小。
6.如權利要求5所述的氣體分配裝置,其特征在于,所述第一輸氣通道和所述第二輸氣通道的橫截面的形狀為圓形、橢圓形或者方形。
7.如權利要求6所述的氣體分配裝置,其特征在于,所述送氣孔的底部漸擴。
8.如權利要求1至3任一項所述的氣體分配裝置,其特征在于,所述氣體分配板的底部進一步設有勻流板,所述勻流板具有多個均勻分布并豎直貫通所述勻流板的散流孔。
9.如權利要求8所述的氣體分配裝置,其特征在于,所述散流孔的底部漸擴。
10.一種等離子體處理設備,其特征在于,包括如權利要求1至9任一項所述的氣體分配裝置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





