[發(fā)明專利]一種磁記錄交換耦合復合膜的制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910075432.8
• 申請日: 2009-09-15
• 公開（公告）號: CN101661757A
• 公開（公告）日: 2010-03-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 許小紅;王芳;梁艷;張靜;李小麗;江鳳仙
• 申請（專利權(quán)）人: 山西師范大學
• 主分類號: G11B5/84
• 分類號: G11B5/84;G11B5/667;G11B5/851
• 代理公司: 太原市科瑞達專利代理有限公司
• 代理人: 江淑蘭

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種磁記錄交換耦合復合膜的制備方法，屬磁記錄信息存儲器件材料結(jié)構(gòu)及制備方法的技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

磁記錄是信息存儲的核心技術(shù)，信息技術(shù)的發(fā)展對磁記錄的要求越來越高，提高磁記錄密度是信息存儲的核心，垂直磁記錄介質(zhì)膜是實現(xiàn)1Tbit/in²超高記錄密度的關(guān)鍵技術(shù)，要求垂直磁記錄介質(zhì)膜有更小的晶粒尺寸，但是磁性晶粒的極度微細化可能產(chǎn)生超順磁效應(yīng)，從而降低介質(zhì)膜的熱穩(wěn)定性，要保持介質(zhì)膜的熱穩(wěn)定性，必須提高磁晶各向異性常數(shù)Ku值，但是高Ku值產(chǎn)生的高矯頑力又帶來新的困難，遠遠超過了當前寫頭的寫入場，使寫入困難，為解決這些問題，提出圖形化磁記錄、熱輔助磁記錄、傾斜磁記錄，但這些介質(zhì)膜在制備工藝上存在很大難度。

Suess和Victora曾提出磁記錄介質(zhì)膜可以是交換彈性和交換耦合的軟/硬復合介質(zhì)膜，該復合介質(zhì)膜由軟磁層和硬磁層通過界面交換耦合而成，其界面可以是直接耦合，也可在軟/硬層之間插入中間層，形成間接耦合，即交換耦合，該交換耦合結(jié)構(gòu)被認為是實現(xiàn)超高密度儲存的最有效途徑，介質(zhì)膜中硬磁層要有高的熱穩(wěn)定性，軟磁層可在低磁場下先反轉(zhuǎn)，然后帶動硬磁層實現(xiàn)反轉(zhuǎn)，從而降低介質(zhì)的矯頑力，因此磁記錄介質(zhì)膜的結(jié)構(gòu)層組合及其制備方法已成了十分重要的研究課題。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明目的

本發(fā)明的目的就是針對背景技術(shù)的不足和實際情況，設(shè)計制備一種多層磁記錄交換耦合復合介質(zhì)膜，采用磁控濺射、真空退火等技術(shù)，制成納米級交換耦合復合膜，降低嬌頑力，保持高穩(wěn)定性，以大幅度提高磁記錄器件的記錄密度和性能。

技術(shù)方案

本發(fā)明使用的化學物質(zhì)材料為：銀靶、鐵靶、釕靶、鐵鉑合金靶、無水乙醇、去離子水、電子清洗劑、氬氣、平面玻璃，其組合用量如下：以克、毫升、厘米³、毫米為計量單位

銀靶：Ag????????????Φ60×5mm??1塊

鐵靶：Fe????????????Φ50.8×1.5mm??1塊

釕靶：Ru????????????Φ60×3mm??1塊

鐵鉑合金靶：FePt????Φ50.8×1.5mm??1塊

無水乙醇：C₂H₆O?????2000ml?±100ml

去離子水：H₂O???????10000ml±100ml

電子清洗劑：ZL-1????100ml?±10ml

電子清洗劑：ZL-2????100ml?±10ml

氬氣：Ar????????????100000cm³±100cm³

平面玻璃：??????????50×25×1mm

交換耦合復合膜，為六層結(jié)構(gòu)，由基層、底層、硬磁層、中間層、軟磁層、保護層組成；基層為平面玻璃層，在基層上部為底層，即銀層，在底層上部為硬磁層，即鐵鉑合金層，在硬磁層上部為中間層，即釕層，在中間層上部為軟磁層，即鐵層，在軟磁層上部為保護層，即銀層。

交換耦合復合膜制備方法如下：

(1)精選化學物質(zhì)材料

對制備所需的化學物質(zhì)材料要進行精選，并進行形狀、尺寸、精度、質(zhì)量純度控制：

銀靶：固態(tài)固體????99.9％

鐵靶：固態(tài)固體????99.9％

釕靶：固態(tài)固體????99.9％

鐵鉑合金靶：固態(tài)固體????99.9％

無水乙醇：液態(tài)液體????99.5％

去離子水：液態(tài)液體????99.5％

電子清洗劑：2L-1液態(tài)液體????99.5％

電子清洗劑：2L-2液態(tài)液體????99.5％

氬氣：氣態(tài)氣體????99.99％

平面玻璃：平面度100∶0.1

(2)超聲清洗基層-平面玻璃基片

①用去離子水400ml浸泡，超聲波清洗10min；

②用電子清洗劑超聲清洗

配制清洗液，將電子清洗劑ZL-1、ZL-2、去離子水按6∶3∶500的比例配制清洗液；

將平面玻璃基片、清洗液置于燒杯中，將燒杯置于可加熱的超聲清洗器中；

加熱溫度為75℃，超聲清洗時間40min；

然后，停止加熱，自然冷卻至20℃±1℃；

③去離子水超聲清洗

將平面玻璃基片置于超聲波清洗器中，加入去離子水400ml，超聲清洗15min，超聲清洗重復進行三次；