[發明專利]控制SiC基體刻蝕的臺階形貌的方法

有效

• 申請號: 200910074413.3
• 申請日: 2009-05-21
• 公開（公告）號: CN101556919A
• 公開（公告）日: 2009-10-14
• 發明（設計）人: 潘宏菽;霍玉柱
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/306
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所
• 代理人: 米文智

1.一種控制SiC基體刻蝕的臺階形貌的方法，包括清洗SiC基體、淀積掩蔽 層、在所述掩蔽層上涂光刻膠并進行光刻，刻蝕掩蔽層和干法刻蝕SiC基體；其 特征在于在刻蝕掩蔽層時，當需要坡度平緩的臺階形貌時，采用濕法腐蝕所述 掩蔽層；在所述濕法腐蝕過程中，采用等離子體轟擊殘留的光刻膠，同時通過 控制掩蔽層和光刻膠界面間的鉆蝕程度得到坡度平緩的臺階形貌。

2.根據權利要求1所述的一種控制SiC基體刻蝕的臺階形貌的方法，其特征 在于還同時控制需刻蝕的SiC基體與掩蔽層的刻蝕比。

3.根據權利要求2所述的一種控制SiC基體刻蝕的臺階形貌的方法，其特征 在于控制需刻蝕的SiC基體與掩蔽層的刻蝕比為：

臺階形貌的坡度平緩∶刻蝕比小于3，大于0。