[發(fā)明專利]一種單片集成微型透鏡及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910073947.4 | 申請日： | 2009-03-19 |
| 公開（公告）號： | CN101504468A | 公開（公告）日： | 2009-08-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 蔡道民;李獻杰;曾慶明;高向芝;尹順政;趙永林 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國電子科技集團公司第十三研究所 |
| 主分類號： | G02B3/00 | 分類號： | G02B3/00;H01L33/00;H01S5/02;H01S5/026;H01L31/0232 |
| 代理公司： | 石家莊國為知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051河*** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 單片 集成 微型 透鏡 及其 制作方法 | ||
1.一種單片集成微型透鏡的制作方法，其特征是，包括以下工序：
1)在基板的一面形成一凹坑；
2)用回流光刻膠填充凹坑，然后涂覆頂層掩蔽用光刻膠；
3)將凹坑上的光刻膠形成一圓臺狀的光刻膠柱；
4)去除頂層掩蔽用光刻膠；
5)應(yīng)用回流工藝熔化光刻膠柱，形成微型透鏡。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述單片集成微型透鏡的制作方法，其特征在于所述基板包括半導(dǎo)體襯底或者鐵電材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述單片集成微型透鏡的制作方法，其特征在于所述半導(dǎo)體襯底為InP或者GaAs或者Si。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述單片集成微型透鏡的制作方法，其特征在于所述凹坑應(yīng)用濕法腐蝕或者等離子體干法刻蝕制作而成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述單片集成微型透鏡的制作方法，其特征在于所述圓臺狀的光刻膠柱應(yīng)用光刻工藝和掃膠工藝制作而成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述單片集成微型透鏡的制作方法，其特征在于所述用于頂層掩蔽的光刻膠與回流光刻膠配合使用，二者共同實現(xiàn)雙層膠工藝。
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