[發明專利]連續浮雕結構微光學元件干法刻蝕圖形傳遞誤差補償方法

有效

• 申請號: 200910071492.2
• 申請日: 2009-03-05
• 公開（公告）號: CN101487907A
• 公開（公告）日: 2009-07-22
• 發明（設計）人: 金鵬;劉婷婷;劉楠;譚久彬
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業大學
• 主分類號: G02B3/00
• 分類號: G02B3/00;G02B3/08;G03F7/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種連續浮雕結構微光學元件干法刻蝕圖形傳遞誤差補償方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：①、以連續浮雕結構微光學元件的理想形貌為基準，得到抗蝕劑表面設計輪廓，并以此為起點；②、通過Monte?Carlo?feature?profilemodel(MCFPM)模型，仿真分析得到該抗蝕劑輪廓經過干法刻蝕后的傳遞形貌；③、以步驟②中得到的仿真傳遞形貌與理想形貌相比較，得到圖形傳遞誤差，并將其疊加到步驟②起始的抗蝕劑表面輪廓上，得到經過補償后抗蝕劑設計輪廓；④、以步驟③中得到的抗蝕劑設計輪廓作為新的仿真起點，重復進行步驟②和③，得到二次補償的仿真形貌；⑤、重復步驟④所述的仿真及迭代過程，直至仿真傳遞形貌和理想形貌的誤差滿足要求，并將此時得到的抗蝕劑設計輪廓作為進行連續浮雕微光學元件干法刻蝕工藝前的抗蝕劑設計輪廓使用。

2.根據權利要求1所述的連續浮雕結構微光學元件干法刻蝕圖形傳遞誤差補償方法，其特征在于，干法刻蝕技術包括離子銑刻蝕、等離子刻蝕、反應離子刻蝕。