[發明專利]鈦合金表面制備陶瓷膜的方法

無效

• 申請號: 200910071362.9
• 申請日: 2009-01-24
• 公開（公告）號: CN101498024A
• 公開（公告）日: 2009-08-05
• 發明（設計）人: 姜兆華;郝國棟;姚忠平
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業大學
• 主分類號: C25D11/26
• 分類號: C25D11/26
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所
• 代理人: 單 軍

1、鈦合金表面制備陶瓷膜的方法，其特征在于鈦合金表面制備陶瓷膜的方法按以下步驟實現：一、將鈦合金表面打磨至表面光滑，然后水洗3～5min再置于電解液中作為正極、以不銹鋼板為負極，控制電解液的溫度為室溫，在占空比為10％、電流密度為300～500A/m²、頻率為1500～2500Hz條件下恒流通電反應20～40min后取出，水洗3～5min，自然干燥或100℃下烘干，即得有孔洞的陶瓷膜；二、將步驟一制備的有孔洞的陶瓷膜浸入100～200mL濃度為200～400g/L硅酸鈉水溶液中，在封孔壓力為0.002～0.008MPa的條件下減壓處理5～15min后取出，干燥，即在鈦合金表面制備出陶瓷膜；其中步驟一中每升電解液由4～8g鋁酸鈉、0.5～1g次磷酸鈉和余量的水配制而成。

2、根據權利要求1所述的鈦合金表面制備陶瓷膜的方法，其特征在于步驟一中電流密度為350～450A/m²。

3、根據權利要求1、2所述的鈦合金表面制備陶瓷膜的方法，其特征在于步驟一中頻率為1800～2200Hz。

4、根據權利要求3所述的鈦合金表面制備陶瓷膜的方法，其特征在于步驟一中恒流通電反應25～35min。

5、根據權利要求1、2或4所述的鈦合金表面制備陶瓷膜的方法，其特征在于步驟二中封孔壓力為0.004～0.006MPa。