[發(fā)明專利]一種Fe12Sm4零維結(jié)構(gòu)配合物磁性材料及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910068155.8
• 申請日: 2009-03-18
• 公開（公告）號: CN101577164A
• 公開（公告）日: 2009-11-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 卜顯和;曾永飛;胡鑫;陳灼;冷小輝
• 申請（專利權(quán)）人: 南開大學
• 主分類號: H01F1/42
• 分類號: H01F1/42;H01F1/00
• 代理公司: 天津佳盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 侯 力

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及異金屬-有機配合物磁性材料，特別是一種Fe₁₂Sm₄零維結(jié)構(gòu)配合物磁 性材料及其制備方法。

背景技術(shù)

近年來，具有精美結(jié)構(gòu)和獨特磁性的高核配合物，特別是單分子磁體(SMMs)已經(jīng) 引起了人們極大的研究興趣(見文獻：Stamatatos，T.C.；Abboud，K.A.；Wemsdorfer，W.； Christou，G.Angew.Chem.Int.Ed.2006，45，4134-4137；Manoli，M.；Johnstone，R.D.L.； Parsons，S.；Murrie，M.；Affronte，M.；Evangelisti，M.；Brechin，E.K.Angew.Chem.Int.Ed. 2007，46，4456-4460；Tasiopoulos，A.J.；Perlepes，S.P.Dalton?Trans.2008，5515-5522等)。 單分子磁體展示出的慢弛豫現(xiàn)象和量子效應(yīng)使它們可能應(yīng)用于高密度信息器件、量子 計算機和分子自旋電子學中。目前，已報道的納米磁體大多數(shù)是含有Mn^III和Co^II的多 核過渡金屬簇，這是因為Mn^III和Co^II大的單離子磁各項異性對單分子磁體的磁性行為 有至關(guān)重要的作用。而鐵簇展示慢磁弛豫的磁各向異性卻很大程度上取決于分子結(jié)構(gòu) 中的不對稱交換作用，這是很難把握的(見文獻：Rajaraman，G.；Cano，J.；Brechin，E.K.； McInnes，E.J.L.Chem.Commun.，2004，1476-1477；Liu，T.；Zhang，Y.-J.；Wang，Z.-M.； Gao，S.J.Am.Chem.Soc.2008，130，10500-10501等)。另外，從單核Ln^III化合物展現(xiàn)出 慢的磁弛豫現(xiàn)象可以看出，Ln^III離子具有較大的磁各項異性(見文獻：Mishra，A.； Wemsdorfer，W.；Abboud，K.A.；Christou，G.J.Am.Chem.Soc.2004，126，15648-15649； Osa，S.；Kido，T.；Matsumoto，N.；Re，N.；Pochaba，A.；Mrozinski，J.J.Am.Chem.Soc.2004， 126，420-421等)。因此，將Sm^III引入到Fe^III簇體系能誘導新合成的分子具有較大的磁 各項異性，磁各項異性結(jié)合非零自旋基態(tài)就可能導致出現(xiàn)慢的磁弛豫現(xiàn)象，這將成為 一種簡單而有效的構(gòu)筑單分子磁體的新方法，這種方法的研究和探索，對于分子基磁 體領(lǐng)域有著非常重要的意義，對開發(fā)新型材料也會產(chǎn)生很大的影響。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于針對上述問題，提供一種能在低溫條件下呈現(xiàn)慢的磁弛豫現(xiàn)象、 制備方法簡單且效率高、成本低的Fe₁₂Sm₄零維結(jié)構(gòu)配合物磁性材料及其制備方法

一種Fe₁₂Sm₄零維結(jié)構(gòu)配合物磁性材料，化學式為 [Fe₁₂Sm₄(μ₄-O)₆(μ₃-O)₄(μ₃-OH)₄(PhCO₂)₂₄]，其中心鐵離子是六配位、中心釤離子是八配 位，十二個鐵離子和四個釤離子通過μ₃-OH^-、μ₃-O^2-、μ₄-O^2-和苯甲酸根橋連，構(gòu)成具 有十六核結(jié)構(gòu)的零維分子。