[發明專利]反向阻斷二極晶閘管

有效

• 申請號: 200910062814.7
• 申請日: 2009-06-24
• 公開（公告）號: CN101931002A
• 公開（公告）日: 2010-12-29
• 發明（設計）人: 顏家圣;張橋;吳擁軍;楊成標;劉小俐
• 申請（專利權）人: 湖北臺基半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L29/74
• 分類號: H01L29/74;H01L29/36;H01L21/332
• 代理公司: 襄樊嘉琛知識產權事務所 42217
• 代理人: 嚴崇姚

1.一種反向阻斷二極晶閘管，包括管殼和封裝在該管殼內的晶閘管芯片，晶閘管芯片為P1陽極發射區(3)、N1長基區(4)、P2短基區(5)、N2陰極發射區(6)四層結構，P1陽極發射區(3)外為燒結歐姆接觸層(2)和陽極鉬片(1)，N2陰極發射區(6)設有陰極表面金屬鍍層(7)，晶閘管芯片臺面設有保護膠層(9)，其特征是：所述的晶閘管芯片N2陰極發射區(6)設有特別陰極區(8)，該區域及其下方的雜質濃度高于N2陰極發射區(6)，并在N2陰極發射區(6)和P2短基區(5)的界面形成陰極溝道(10)。

2.根據權利要求1所述的一種反向阻斷二極晶閘管，其特征是：所述的特別陰極區(8)位于晶閘管芯片中心。

3.根據權利要求1或2所述的一種反向阻斷二極晶閘管，其特征是：所述的特別陰極區(8)為刻蝕槽，在該刻蝕槽(8)下方及周圍形成濃度高于N2陰極發射區(6)濃度的高濃度N型區，且高濃度N型區伸入P2短基區(5)，形成陰極溝道(10)。

4.根據權利要求3所述的一種反向阻斷二極晶閘管，其特征是：所述的N2陰極發射區(6)是單窗口擴散形成的整塊式陰極發射區。

5.根據權利要求3所述的一種反向阻斷二極晶閘管，其特征是：所述的N2陰極發射區(6)是多窗口擴散形成的分塊式陰極發射區。

6.根據權利要求2所述的一種反向阻斷二極晶閘管，其特征是：所述的特別陰極區(8)是直接在晶閘管芯片中心部位進行選擇擴散形成的，該擴散也使N2陰極發射區(6)的結深向P2短基區(5)推進，形成陰極溝道(10)。