[發明專利]超級電容器用導電高分子修飾活性碳電極材料的制備方法

無效

• 申請號: 200910060773.8
• 申請日: 2009-02-17
• 公開（公告）號: CN101488400A
• 公開（公告）日: 2009-07-22
• 發明（設計）人: 李亮;江登榜;曾小平;鄭磊;胡雙強
• 申請（專利權）人: 武漢工程大學
• 主分類號: H01G9/04
• 分類號: H01G9/04;H01G9/042;C01B31/08;C25D13/08
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司
• 代理人: 崔友明

1、超級電容器用導電高分子修飾活性碳電極材料的制備方法，包括有以下步驟：1)A溶液的制備：向離子液體中加入導電高分子單體得到單體濃度為0.01～0.5mol/L的A溶液；

2)在配置三電極的電解池中加入A溶液，所述的三電極中參比電極為飽和甘汞電極，對電極為鉑片，工作電極為活性碳電極，向活性碳電極上施加1～10mA/cm²的電流密度，在氮氣保護下進行電化學聚合，聚合完成后即可在活性碳工作電極上得到一層均勻的導電高分子膜。

2、按權利要求1所述的超級電容器用導電高分子修飾活性碳電極材料的制備方法，其特征在于所述的離子液體為1-丁基-3甲基咪唑六氟磷酸鹽或1-丁基-3-甲基咪唑四氟硼酸鹽。

3、按權利要求1或2所述的超級電容器用導電高分子修飾活性碳電極材料的制備方法，所述的導電高分子單體為吡咯、甲基吡咯、苯胺或乙烯二氧噻吩。