[發明專利]SONOS結構的制備方法

無效

• 申請號: 200910057404.3
• 申請日: 2009-06-11
• 公開（公告）號: CN101924076A
• 公開（公告）日: 2010-12-22
• 發明（設計）人: 楊斌;謝烜;林鋼;王函
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247;H01L21/283
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種SONOS結構的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)在硅襯底上形成底部氧化層；

2)在底部氧化層上形成氮化硅層；

3)在氮化硅層上淀積非晶硅層；

4)對非晶硅層進行氧化，形成氧化層；

5)接著在步驟4)形成的氧化層上淀積多晶硅。

2.根據權利要求1所述的SONOS結構的制備方法，其特征在于，其特征在于，步驟4)中采用高壓氧化或者采用低壓氧化方法對非晶硅層進行氧化形成氧化層。

3.根據權利要求1所述的SONOS結構的制備方法，其特征在于，步驟1)中采用熱氧化工藝形成底部氧化層。

4.根據權利要求1所述的SONOS結構的制備方法，其特征在于，步驟2)中采用LPCVD方法形成氮化硅層。

5.根據權利要求1所述的SONOS結構的制備方法，其特征在于，步驟5)中采用CVD方法淀積多晶硅。

6.根據權利要求1或3所述的SONOS結構的制備方法，其特征在于，步驟1)中底部氧化層的厚度為10-

7.根據權利要求1或4所述的SONOS結構的制備方法，其特征在于，步驟2)中氮化硅層的厚度為50-

8.根據權利要求1或2所述的SONOS結構的制備方法，其特征在于，步驟3)中非晶硅層的厚度為10-

9.根據權利要求1或2所述的SONOS結構的制備方法，其特征在于，步驟3)中采用CVD的方法淀積非晶硅層。