[發明專利]MOS一次可編程器件有效
| 申請號： | 200910057116.8 | 申請日： | 2009-04-23 |
| 公開（公告）號： | CN101872648A | 公開（公告）日： | 2010-10-27 |
| 發明（設計）人： | 徐向明;胡曉明 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | G11C17/14 | 分類號： | G11C17/14 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201206 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | mos 一次 可編程 器件 | ||
1.一種MOS一次可編程器件，包括一耦合電容和一NMOS，耦合電容的一端同NMOS浮柵多晶硅層相連，利用電容耦合電壓使NMOS發生熱電子注入，熱電子穿透柵氧化勢壘后存儲在浮柵多晶硅層上，完成編程工作，其特征在于，還包括一PMOS，所述PMOS柵同所述NMOS浮柵共用同一多晶硅層，所述PMOS漏極初始狀態閾值電壓為負，編程后存儲在浮柵晶硅層上的電子使PMOS溝道反型，閾值電壓為正，基于編程前后PMOS溝道電流的變化，區分存儲單元意義上的0和1。
2.根據權利要求1所述的MOS一次可編程器件，其特征在于，所述NMOS和PMOS縱向排列，面積完全對稱，所述耦合電容采用NMOS柵電容，排列于所述NMOS和PMOS側面。
3.根據權利要求2所述的MOS一次可編程器件，其特征在于，所述耦合電容C耦合電容與所述縱向排列的NMOS和PMOS柵氧電容C晶體管電容面積比耦合效率為60％～90％，耦合效率＝C耦合電容/(C耦合電容+C晶體管電容)。
4.根據權利要求1所述的MOS一次可編程器件，其特征在于，對該MOS一次可編程器件進行編程時，所述NMOS的源和P阱接地，所述PMOS的源和N阱接電源正，所述耦合電容連接的字線電壓為高電壓，所述NMOS漏連接的編程線電壓為高電壓，所述PMOS漏連接的位線電壓為高電壓。
5.根據權利要求1所述的MOS一次可編程器件，其特征在于，對該MOS一次可編程器件進行讀取時，所述NMOS的源和P阱接地，所述PMOS的源和N阱接電源正，所述耦合電容連接的字線電壓為低電壓，所述NMOS漏連接的編程線電壓為低電壓，所述PMOS漏連接的位線電壓為高電壓。
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