[發明專利]一種用于提拉法生長鋱鎵石榴石晶體的合成方法有效
| 申請號： | 200910056546.8 | 申請日： | 2009-08-18 |
| 公開（公告）號： | CN101649488A | 公開（公告）日： | 2010-02-17 |
| 發明（設計）人： | 柳祝平;裴廣慶;黃小衛;王有明 | 申請（專利權）人： | 上海元亮光電科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/28 | 分類號： | C30B29/28 |
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| 地址： | 201800上海市嘉*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 提拉法 生長 石榴石 晶體 合成 方法 | ||
1.一種用于提拉法生長鋱鎵石榴石晶體的原料合成方法，包括以下步驟：
a.將Ga2O3完全溶解于濃硝酸溶液中獲得Ga(NO3)3溶液；b、將Tb4O7完全溶解于濃硝酸溶液中得到Tb(NO3)4溶液；c、將Ga(NO3)3溶液和Tb(NO3)4溶液按照Ga∶Tb＝3∶5的摩爾比進行充分的混合，得到混合溶液A；d、配制一定量的2.5mol/L的氨水溶液B；e、將混合溶液A和氨水溶液按照相同的流量流入一大型容器中，使得溶液維持在一適當的pH值在9～11之間，此時生成的白色沉淀即為鋱鎵石榴石前趨物；f、將上述沉淀靜置一定的時間后，依序進行洗滌、過濾、再沉淀；g、將再沉淀好的鋱鎵石榴石前趨物進行烘干、壓片；h、對壓好片的鋱鎵石榴石在高溫下燒結適當的時間。
2.根據權利要求1所述用于提拉法生長鋱鎵石榴石晶體的原料合成方法，其特征在于，所述鋱鎵石榴石前趨物的靜置時間為12～24小時。
3.根據權利要求1所述用于提拉法生長鋱鎵石榴石晶體的原料合成方法，其特征在于，所述燒結采用的燒結溫度為800～1200℃，燒結時間為10～20小時。
4.一種用于提拉法生長稀土離子摻雜鋱鎵石榴石晶體的原料合成方法，其中稀土離子摻雜鋱鎵石榴石以(RE1-xTbx)3Ga5O12進行表示，RE表示稀土離子Nd3+、Yb3+或Ce3+，0≤x≤1，其特征在于，包括以下步驟：a、Ga2O3完全溶解于濃硝酸溶液中得到Ga(NO3)3溶液；b、將Tb4O7完全溶解于濃硝酸溶液中獲得Tb(NO3)4溶液；c、將稀土氧化物RE2O3溶解于濃硝酸溶液中得到RE(NO3)3溶液；d、將RE(NO3)3溶液混合到硝酸鎵溶液中；e、將混合有RE(NO3)3的Ga(NO3)3溶液和Tb(NO3)4溶液按照摩爾比3∶5的比例進行充分的混合，得到混合溶液A’，其中，RE離子的摻雜濃度為0～5mol％；f、將上述混合溶液A’和氨水溶液B，按照相同的流量流入一大型容器中，使得混合溶液的pH值維持在10，此時生成的白色沉淀即為稀土離子摻雜鋱鎵石榴石前趨物；g、陳化靜置12～24小時； h、使用蒸餾水對上述沉淀進行洗滌，隨后進行過濾、再沉淀，對得到的沉淀物在80℃下烘干；i、壓片，1000～1200℃下燒結10～20小時。?
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