[發(fā)明專利]存儲單元失效分析的測試方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910055387.X | 申請日： | 2009-07-24 |
| 公開（公告）號： | CN101964213A | 公開（公告）日： | 2011-02-02 |
| 發(fā)明（設計）人： | 周第廷;張宇飛 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | G11C29/00 | 分類號： | G11C29/00 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 20120*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 存儲 單元 失效 分析 測試 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種存儲單元失效分析的測試方法，其特征在于，包括：
定義內存區(qū)域，所述內存區(qū)域中的內存單元與芯片上存儲單元數(shù)量及位置一一對應；
對存儲單元進行可調數(shù)值范圍內的加壓，測量得到各存儲單元的閾值電壓，并將與閾值電壓相關的步進值信息存入內存區(qū)域對應的內存單元位置，直至所有存儲單元的閾值電壓都能測試得到；
讀出內存區(qū)域中的與閾值電壓相關的步進值信息，生成數(shù)據(jù)文件；
對數(shù)據(jù)文件進行分析得到閾值電壓對應存儲單元位置的信息，同時能計算出所有存儲單元閾值電壓分布的信息。
2.根據(jù)權利要求1所述存儲單元失效分析的測試方法，其特征在于，所述可調數(shù)值范圍指2V～7.5V。
3.根據(jù)權利要求1所述存儲單元失效分析的測試方法，其特征在于，所述閾值電壓＝2.0V+步進值(n-1)×0.1V。
4.根據(jù)權利要求1所述存儲單元失效分析的測試方法，其特征在于，所述內存區(qū)域在測試機內定義。
5.根據(jù)權利要求1所述存儲單元失效分析的測試方法，其特征在于，所述分析得到的閾值電壓大于最大預定值或小于最小預定值，則判斷該存儲單元失效。
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