[發明專利]淺溝槽填充方法

有效

• 申請號: 200910054980.2
• 申請日: 2009-07-16
• 公開（公告）號: CN101958267A
• 公開（公告）日: 2011-01-26
• 發明（設計）人: 郭世璧;洪學鹍;荊學珍;程永亮;符云飛
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/316
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

1.一種淺溝槽填充方法，包括：

提供襯底；

所述襯底內形成有溝槽；

所述溝槽側壁形成有側壁氧化層；

其特征在于，還包括：

用SiO₂以遞進速率填充所述溝槽，直至填充所述溝槽的第一寬度；

對所述溝槽進行抽真空處理；

用SiO₂以第二填充速率填充所述溝槽。

2.如權利要求1所述的淺溝槽填充方法，其特征在于，所述襯底上依次形成有襯墊氧化層、SiN層。

3.如權利要求1所述的淺溝槽填充方法，其特征在于，所述第一寬度為所述溝槽寬度的75％至85％。

4.如權利要求1所述的淺溝槽填充方法，其特征在于，所述以遞進速率填充所述溝槽工藝為次常壓化學氣相沉積。

5.如權利要求1所述的淺溝槽填充方法，其特征在于，反應壓力為100托至600托，反應溫度為450攝氏度至600攝氏度，四乙氧基硅烷起始流量為從1125毫克每分鐘，遞進上升，遞進速度為0.17毫克每2次方秒，載氣為N₂及He，N₂和He的流量之和為每分鐘41500標準立方厘米，臭氧流量為每分鐘27000標準立方厘米。

6.如權利要求5所述的淺溝槽填充方法，其特征在于，所述以遞進速率填充所述溝槽的工藝參數為：反應壓力為600托，反應溫度為540攝氏度，四乙氧基硅烷起始流量為從1125毫克每分鐘，遞進上升，遞進速度為0.17毫克每2次方秒，載氣為N₂及He，N₂和He的流量之和為每分鐘41500標準立方厘米，臭氧流量為每分鐘27000標準立方厘米。

7.如權利要求1所述的淺溝槽填充方法，其特征在于，對所述溝槽進行抽真空的工藝在次常壓化學氣相沉積設備中進行，所述真空度小于1托。

8.如權利要求1所述的淺溝槽填充方法，其特征在于，所述第二填充速率低于填充所述溝槽的第一寬度的結束的填充速率。

9.如權利要求1所述的淺溝槽填充方法，其特征在于，所述第二填充速率為每秒1埃至每秒2埃。

10.如權利要求1所述的淺溝槽填充方法，其特征在于，所述用SiO₂以第二填充速率填充所述溝槽的工藝參數為：反應壓力為200托至600托，反應溫度為450攝氏度至600攝氏度，四乙氧基硅烷流量為800至1500毫克每分鐘，臭氧流量為每分鐘25000標準立方厘米至每分鐘30000標準立方厘米，N₂和He的流量總和為每分鐘30000標準立方厘米至每分鐘45000標準立方厘米。

11.如權利要求11所述的淺溝槽填充方法，其特征在于，所述用SiO₂以第二填充速率填充所述溝槽的工藝參數為：反應壓力為600托，反應溫度為540攝氏度，四乙氧基硅烷流量恒定為1200毫克每分鐘，臭氧流量為每分鐘27000標準立方厘米，N₂和He的流量總和為每分鐘41500標準立方厘米。