[發(fā)明專利]紅外線加熱制備聚乳酸薄膜的方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910053551.3 | 申請(qǐng)日: | 2009-06-22 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101927565A | 公開(kāi)(公告)日: | 2010-12-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李勇鋒;程樹(shù)軍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海華義化工科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | B29C55/28 | 分類號(hào): | B29C55/28;B29B13/08;C08L67/04;C08K5/103;C08K5/11;C08K3/36;B29L7/00 |
| 代理公司: | 上海金盛協(xié)力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31242 | 代理人: | 羅大忱 |
| 地址: | 200237 上海*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 紅外線 加熱 制備 乳酸 薄膜 方法 | ||
1.紅外線加熱制備聚乳酸薄膜的方法,其特征在于,包括如下步驟:將聚乳酸基樹(shù)脂制備成為坯管,然后將其通過(guò)紅外線輻射加熱至60~120℃,再通氣吹脹,最后將吹脹獲得的薄膜進(jìn)行熱處理,得到所述的聚乳酸基樹(shù)脂薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,紅外線的波長(zhǎng)為3μm~17μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,紅外線的波長(zhǎng)為3μm~5μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,紅外線的波長(zhǎng)為4μm~12μm;。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,紅外線的波長(zhǎng)為12μm~17μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述的聚乳酸薄膜橫向拉伸比為1~10,縱向拉伸比為1~10;聚乳酸薄膜厚度范圍為0.002mm~0.5mm,所述的聚乳酸薄膜在吹脹成型后,在60~140℃下熱處理0~30分鐘。
7.根據(jù)權(quán)利要求1~6任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于,所述的聚乳酸基樹(shù)脂為聚乳酸,或者是聚乳酸與其他可生物降解樹(shù)脂和添加劑的共混材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,所述的聚乳酸為L(zhǎng)-乳酸均聚物、D-乳酸均聚物或L,D-乳酸共聚物中的一種以上;L,D-乳酸共聚物中,L-乳酸的重量含量為20%以上,聚乳酸的重均分子量為10,000~2,000,000。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,所述的其他可生物降解樹(shù)脂包括聚己內(nèi)酯、聚乙交酯、聚丁二酸丁二醇酯、聚羥基丁酸、聚羥基丁酸-羥基戊酸共聚物或聚羥基辛酸-羥基乙酸共聚物中的一種以上;
所述的添加劑包括增塑劑、增韌劑或填料中的一種以上;
所述增塑劑選自三乙酸甘油酯或檸檬酸三乙酯等;
所述增韌劑優(yōu)選聚己二酸甘油酯或聚癸二酸甘油酯等;
所述填料為無(wú)機(jī)或有機(jī)填料,如碳酸鈣,二氧化硅、淀粉或纖維素等;
聚乳酸與其他可生物降解樹(shù)脂和添加劑的共混材料中,聚乳酸的重量百分比為50%~100%,其他可生物降解樹(shù)脂的重量百分比為0~50%,添加劑的重量份數(shù)為0~50%。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,按照ISO6721標(biāo)準(zhǔn)塑料動(dòng)態(tài)機(jī)械性能的測(cè)試方法,所述的聚乳酸基樹(shù)脂在0~120℃范圍內(nèi)貯存模量E′的最小值低于100MPa,更優(yōu)化的貯存模量E′的最小值低于50MPa。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海華義化工科技有限公司,未經(jīng)上海華義化工科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910053551.3/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。





