[發明專利]一種肖特基勢壘二極管及其制備方法無效
| 申請號： | 200910050995.1 | 申請日： | 2009-05-12 |
| 公開（公告）號： | CN101697357A | 公開（公告）日： | 2010-04-21 |
| 發明（設計）人： | 楊忠武;宋凱霖;洪旭峰;任宏志 | 申請（專利權）人： | 上海芯石微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/872 | 分類號： | H01L29/872;H01L21/329;H01L21/316;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 200120 上海市浦東新*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 肖特基勢壘二極管 及其 制備 方法 | ||
1.一種肖特基勢壘二極管，其結構包括：以N型半導體為基片(陰極)，在上面生長N-外延層，N-外延淀積一層金屬M作為陽極。
2.根據權利要求1所述的肖特基勢壘二極管，其特征在于，所述的金屬M為Cr或Ni/Cr合金。
3.根據權利要求1所述的肖特基勢壘二極管，其特征在于，所述的肖特基勢壘二極管是一低正向壓降肖特基勢壘二極管。
4.一種肖特基勢壘二極管的制備方法，其步驟包括：在硅外延片和金屬之間用75度清洗試劑清洗10--30分鐘生長一層薄氧化層，氧化層厚度在然后濺射或蒸發金屬，合金形成硅化物，作為勢壘層，從而形成了肖特基勢壘二極管。
5.根據權利要求4所述的肖特基勢壘二極管的制備方法，其特征在于，所述的薄氧化層為MSix金屬硅化物。
6.根據權利要求5所述的肖特基勢壘二極管的制備方法，其特征在于，所述的薄氧化層為CrSi或CrSi2，其中，x＝1-2。
7.根據權利要求6所述的肖特基勢壘二極管的制備方法，其特征在于，所述的薄氧化層為CrSi2，其中，x＝2。
8.根據權利要求4所述的肖特基勢壘二極管的制備方法，其特征在于，所述的氧化層厚度為
9.根據權利要求4所述的肖特基勢壘二極管的制備方法，其特征在于，所述的清洗試劑為H2O2或H2O2與NH3OH、H2O的混合溶液，其混合溶液的配比為1∶2∶8-1∶2∶10。
10.根據權利要求4所述的肖特基勢壘二極管的制備方法，其特征在于，所述的清洗時間為10min。
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