[發明專利]快恢復二極管及其制造方法

無效

• 申請號: 200910050725.0
• 申請日: 2009-05-07
• 公開（公告）號: CN101882631A
• 公開（公告）日: 2010-11-10
• 發明（設計）人: 商海涵
• 申請（專利權）人: 商海涵
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L29/417;H01L21/329;H01L21/283
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術領域

本發明涉及微電子領域，尤其涉及一種快恢復二極管及其制造方法。

背景技術

快恢復二極管(Fast?Recovery?Diode，以下簡稱FRD)是在普通二極管基礎上引入深能級金屬雜質，形成復活中心，從而提高開關速度的高速開關器件。圖1A-圖1C為現有技術FRD的制造方法示意圖，如圖1A-1C所示，首先用傳統工藝在P型硅襯底上形成重摻雜N型陽極，在金屬淀積前的清洗完成后，直接淀積金屬，而兩步工藝之間的時間間隔里，硅片表面會迅速形成不均勻的自然氧化層(二氧化硅層)，從而影響金屬硅化物厚度的均勻性，導致現有技術的FRD普遍存在芯片與芯片(DIE?to?DIE)和硅片與硅片(WAFER?to?WAFER)開關速度均勻性問題。

快恢復二極管的速度有差異，最終將導致這些快恢復二極管制備的產品也會有差異。當速度的一致性不夠時，就不能用在對開關一致性要求高的場合，降低了產品的品質和質量。

發明內容

本發明所要解決的技術問題在于提供一種快恢復二極管，能夠解決DIE?toDIE和WAFER?to?WAFER開關速度均勻性問題。

為解決上述技術問題，本發明快恢復二極管采用如下技術方案：

一種快恢復二極管，包括：硅襯底、淀積在所述硅襯底上的重摻雜陽極和淀積在所述硅襯底上、且處于所述重摻雜陽極兩側的場氧，還包括：形成在所述重摻雜陽極上的白金硅化物層和形成在所述白金硅化物層上均勻的二氧化硅層。

本發明實施例提供的快恢復二極管，通過在在金屬淀積前的清洗完成后沉積一層均勻的二氧化硅，保證了金屬硅化物厚度的均勻性，從而解決了DIE?toDIE和WAFER?to?WAFER開關速度均勻性問題。

本發明所要解決的另一個技術問題在于提供一種快恢復二極管制造方法，能夠解決DIE?to?DIE和WAFER?to?WAFER開關速度均勻性問題。

為解決上述技術問題，本發明快恢復二極管制造方法采用如下技術方案：

一種快恢復二極管制造方法，包括：

在清洗后的淀積了重摻雜陽極和場氧的硅襯底上形成均勻的二氧化硅層；

用濺射或者蒸發的方法淀積金屬層；

通過合金工藝，形成均勻的硅化物結。

本發明實施例提供的快恢復二極管制造方法，通過在在金屬淀積前的清洗完成后沉積一層均勻的二氧化硅，保證了金屬硅化物厚度的均勻性，從而解決了DIE?to?DIE和WAFER?to?WAFER開關速度均勻性問題。

附圖說明

圖1A-1C為現有技術FRD的制造方法示意圖；

圖2為本發明FRD實施例的結構示意圖；

圖3為本發明FRD制造方法實施例的流程圖；

圖4A-4C為本發明FRD的制造方法實施例的示意圖。

具體實施方式

本發明實施例提供一種快恢復二極管及其制造方法，能夠解決DIE?to?DIE和WAFER?to?WAFER開關速度均勻性問題。

下面結合附圖對本發明實施例快恢復二極管及其制造方法進行詳細描述。

圖2為本發明FRD實施例的結構示意圖，如圖2所示，本發明實施例的快恢復二極管包括：硅襯底、淀積在硅襯底上的重摻雜陽極和淀積在硅襯底上、且處于重摻雜陽極兩側的場氧，還包括：形成在重摻雜陽極上的白金硅化物層和形成在白金硅化物層上均勻的二氧化硅層。

本發明實施例提供的快恢復二極管，通過在在金屬淀積前的清洗完成后沉積一層均勻的二氧化硅，保證了金屬硅化物厚度的均勻性，從而解決了DIE?toDIE和WAFER?to?WAFER開關速度均勻性問題。

圖3為本發明FRD制造方法實施例的流程圖，如圖3所示，本發明快恢復二極管制造方法實施例包括：

步驟1、在清洗后的淀積了重摻雜陽極和場氧的硅襯底上形成均勻的二氧化硅層；

步驟2、用濺射或者蒸發的方法淀積金屬層；

步驟3、通過合金工藝，形成均勻的硅化物結。

本發明實施例提供的快恢復二極管制造方法，通過在在金屬淀積前的清洗完成后沉積一層均勻的二氧化硅，保證了金屬硅化物厚度的均勻性，從而解決了DIE?to?DIE和WAFER?to?WAFER開關速度均勻性問題。

在上一實施例的基礎上，進一步地，步驟2中所述均勻的二氧化硅層為采用雙氧水浸泡或涂布的方法形成的，或者采用化學氣相沉淀的方法形成的。

再進一步地，步驟2中的金屬層為金屬鉑層。