[發明專利]半導體器件及其制造方法

無效

• 申請號: 200910050409.3
• 申請日: 2009-04-30
• 公開（公告）號: CN101877354A
• 公開（公告）日: 2010-11-03
• 發明（設計）人: 徐偉中;林德成;卓起德;游寬結;張文廣
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L27/112
• 分類號: H01L27/112;H01L21/82
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種半導體器件，包含雙疊多晶硅柵結構，所述雙疊多晶硅柵結構由第一柵及第二柵構成，第二柵疊于第一柵上，其特征在于，所述第一柵的結構及第二柵的結構為晶體結構，第一柵與第二柵的晶粒大小匹配，且第一柵與第二柵的晶向結構匹配。

2.如權利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一柵及第二柵為晶體硅結構。

3.一種半導體器件制作方法，所述半導體器件包括雙疊多晶硅柵結構，所述雙疊多晶硅柵結構由第一柵及第二柵構成，第二柵疊于第一柵上，其特征在于，包括：

用爐管工藝形成所述第一柵；

進行熱處理及對第一柵圖形化；

用單片式化學氣相沉積工藝形成所述第二柵，其中所述第一柵及第二柵的結構為晶體結構，第一柵與第二柵的晶粒大小匹配，且第一柵與第二柵的晶向結構匹配。

4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述晶體結構為晶體硅結構。

5.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述爐管工藝的工藝溫度為580～750攝氏度。

6.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述單片式化學氣相沉積工藝的工藝溫度為600～850攝氏度。

7.如權利要求3～6中任一項權利要求所述的方法，其特征在于，制作第二柵的工藝的工藝溫度比制作第一柵的工藝的工藝溫度高20～200攝氏度。