[發明專利]發光二極管芯片及其制造方法

無效

• 申請號: 200910049930.5
• 申請日: 2009-04-24
• 公開（公告）號: CN101872813A
• 公開（公告）日: 2010-10-27
• 發明（設計）人: 劉勝;甘志銀;汪沛;周圣軍
• 申請（專利權）人: 劉勝
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 上海市華誠律師事務所 31210
• 代理人: 李平

1.一種發光二極管芯片，包括：高熱導率的襯底、鍵合材料層、反射層、透明導電層和發光二極管外延層，其特征在于高熱導率材料作為垂直結構發光二極管芯片的支撐襯底，支撐襯底上面為鍵合材料層，鍵合材料層上面是反射層，反射層上面為透明導電層，透明導電層上為發光二極管外延層，發光二極管外延層上面是n面電極。

2.權利要求1所述的發光二極管芯片的制造方法，包括以下工藝步驟：

(1)將藍寶石襯底發光二極管外延片在標準溶液中清洗；

(2)在藍寶石襯底LED外延片上蒸鍍透明導電層；

(3)在透明導電層上蒸鍍反射層；

(4)在反射層上涂敷鍵合材料層；

(5)通過鍵合材料層將藍寶石襯底發光二極管芯片外延片鍵合到高熱導率的襯底上；

(6)剝離藍寶石襯底；

(7)采用電感耦合等離子體或反應離子刻蝕n-GaN、有源層和p-GaN；

(8)采用KOH溶液將未摻雜的GaN層刻蝕掉，并對n-GaN表面進行粗化；

(9)蒸鍍n面電極到經過表面粗化后的n-GaN層，形成歐姆接觸電極。

3.根據權利要求2所述的發光二極管芯片的制造方法，其特征在于所述工藝步驟(6)剝離藍寶石襯底首先采用機械研磨將400um的藍寶石襯底減薄至60～80um，接著通過化學機械拋光將藍寶石襯底減薄至5～10um，然后采用濕法腐蝕去除剩余的藍寶石襯底。

4.根據權利要求3所述的發光二極管芯片的制造方法，其特征在于所述濕法腐蝕選用的溶液為硫酸和磷酸的混合溶液，硫酸和磷酸的質量比為2∶1，濕法腐蝕的溫度為270℃。

5.根據權利要求2所述的發光二極管芯片的制造方法，其特征在于所述鍵合材料層為導電聚合物。

6.根據權利要求2所述的發光二極管芯片的制造方法，其特征在于所述反射層為Al或Ag或Pt。

7.根據權利要求6所述的發光二極管芯片的制造方法，其特征在于所述反射層的厚度為100nm。

8.根據權利要求2所述的發光二極管芯片的制造方法，其特征在于所述透明導電層為ITO或ATO或ZnO，厚度為390nm。

9.根據權利要求2所述的發光二極管芯片的制造方法，其特征在于所述歐姆接觸電極的材料結構逐層為Ti/Al/Ti/Au或Cr//Pt/Au或Ti/Al/Pt/Au，多層結構的總厚度為200-2000nm。