[發(fā)明專利]一種在單晶硅片表面制備Si3N4復合薄膜的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910048383.9 | 申請日： | 2009-03-27 |
| 公開（公告）號： | CN101545142A | 公開（公告）日： | 2009-09-30 |
| 發(fā)明（設計）人： | 安雙利 | 申請（專利權）人： | 上海第二工業(yè)大學 |
| 主分類號： | C30B33/00 | 分類號： | C30B33/00;C30B29/06;B05D1/24;B05D3/10 |
| 代理公司： | 上海東創(chuàng)專利代理事務所 | 代理人： | 寧芝華 |
| 地址： | 201209上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 單晶硅 表面 制備 si sub 復合 薄膜 方法 | ||
【權利要求書】：
1、一種在單晶硅片表面制備Si3N4復合薄膜的方法，其特征在于按照如下步驟進行：
A)首先對單晶硅片進行預處理：
a)將單晶硅片浸泡在王水中，使用電爐加熱王水，加熱時間為5～6個小時，在室溫中自然冷卻；
b)將單晶硅片取出，用去離子水反復沖洗，放入干燥皿中干燥；
c)干燥后浸于Pirahan溶液中，體積比為H2SO4∶H2O2＝70∶30，于室溫下處理1小時，用去離子水超聲清洗后放在防塵裝置內的烘箱中干燥；
d)然后將處理后的單晶硅片浸入配制好的巰基硅烷濃度為0.1～1.0mmol/L的苯溶液中，靜置6～8小時取出，沖洗后用氮氣吹干；
e)再將單晶硅片置于質量濃度為30％～60％的硝酸中，在50～80℃下反應2小時，取出用大量去離子水沖洗，這樣就將端巰基原位氧化成磺酸基，得到表面附有磺酸基硅烷薄膜的單晶硅片；
B)、制備Si3N4分散液：先將Si3N4在室溫下按0.1～0.2mg/ml放入N，N-二甲基甲酰胺(DMF)分散劑，超聲波分散(40W)1～3小時，得到穩(wěn)定的懸浮液；
C)、將表面組裝有磺酸基硅烷薄膜的單晶硅片浸入制備好的Si3N4懸浮液中，在20～60℃靜置2～24小時，取出用大量去離子水沖洗，沖洗后用氮氣吹干，這樣就得到表面沉積有Si3N4復合薄膜的單晶硅片。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海第二工業(yè)大學，未經上海第二工業(yè)大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910048383.9/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：基于BIM的內掛外接式梁或柱
- 下一篇：一種冷彎薄壁鋼做主體的低層房屋結構
