[發明專利]掩模版承版臺及其光刻設備和雙曝光方法

有效

• 申請號: 200910048281.7
• 申請日: 2009-03-26
• 公開（公告）號: CN101526754A
• 公開（公告）日: 2009-09-09
• 發明（設計）人: 齊寧寧;齊芊楓;李志龍
• 申請（專利權）人: 上海微電子裝備有限公司;上海微高精密機械工程有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所
• 代理人: 屈 蘅;李時云

技術領域

本發明涉及半導體制程領域，特別涉及一種用于雙曝光工藝的掩模版承版臺及其光刻設備和雙曝光方法。?

背景技術

現有技術中的光刻裝置，主要用于集成電路IC或其它微型器件的制造。通過光刻裝置，具有不同掩模圖案的多層掩模在精確對準下依次成像在涂覆有光刻膠的晶片上，例如半導體晶片或LCD板。光刻裝置大體上分為兩類，一類是步進光刻裝置，掩模圖案一次曝光成像在晶片的一個曝光區域，隨后晶片相對于掩模移動，將下一個曝光區域移動到掩模圖案和投影物鏡下方，再一次將掩模圖案曝光在晶片的另一曝光區域，重復這一過程直到晶片上所有曝光區域都擁有掩模圖案的像。另一類是步進掃描光刻裝置，在上述過程中，掩模圖案不是一次曝光成像，而是通過投影光場的掃描移動成像。在掩模圖案成像過程中，掩模與晶片同時相對于投影系統和投影光束移動。?

目前，光刻設備大多采用每批硅片曝光后更換一次掩模版的方式，即一個掩模圖案對應一批硅片曝光之后，再更換另一個掩模圖案，每個掩模圖案對應集成電路上的一層電路。但是，當同一層上圖案的差別較大或是密度極大的情況下掩模版的制備非常困難。請參見圖1，其所示為現有技術中硅片曝光形成的圖形。設計在硅片上顯影出L型的線條，如果采用一塊掩模版單獨曝光完成，則所形成的圖形在L拐角處會有圓角產生，影響線條質量。?

發明內容

本發明旨在解決現有技術中由于一次曝光由于圖形的復雜程度和密度的原因所造成的成像不精準的問題。?

有鑒于此，本發明提供一種掩模版承版臺，包括：掩模版保持架；第一掩?模版安裝位與第二掩模版安裝位，設置于所述掩模版保持架上；標記版安裝位，設置于所述掩模版保持架中間位置；多個掩模版真空吸附槽，分別設置于所述第一掩模版安裝位與第二掩模版安裝位中，用以吸附固定掩模版；角錐棱鏡安裝位，設置于所述掩模版保持架的一側，用于安裝角錐棱鏡；微動電機安裝位，設置于所述掩模版保持架上；反射鏡鍍膜面，位于所述掩模版保持架的一側面。?

進一步的，所述第一掩模版安裝位與第二掩模版安裝位為低于所述掩模版保持架上表面的方形凹槽。?

進一步的，所述掩模版承版臺還包括：角錐棱鏡，安裝于所述角錐棱鏡安裝位。?

進一步的，所述掩模版承版臺還包括：掩模版固定架，以輔助固定所述掩模版。?

進一步的，所述掩模版承版臺還包括：氣孔堵頭，以封住所述掩模版保持架上的氣路工藝孔。?

進一步的，所述掩模版承版臺還包括：微動電機，設置于所述微動電機安裝位，用以控制所述掩模版承版臺的運動和姿態。?

進一步的，所述微動電機包括：直線電機，以及音圈電機。?

本發明還提供一種光刻設備，包括：提供輻射束的照明系統；將輻射光束投影到基底目標位置的投影系統；用于支撐掩模設備的掩模版承版臺及用于支撐基底的工件臺結構；所述掩模版承版臺包括：掩模版保持架；第一掩模版安裝位與第二掩模版安裝位，設置于所述掩模版保持架上；標記版安裝位，設置于所述掩模版保持架中間位置；多個掩模版真空吸附槽，分別設置于所述第一掩模版安裝位與第二掩模版安裝位中，用以吸附固定掩模版；角錐棱鏡安裝位，設置于所述掩模版保持架的一側，用于安裝角錐棱鏡；微動電機安裝位，設置于所述掩模版保持架上；反射鏡鍍膜面，位于所述掩模版保持架的一側面。?

進一步的，所述第一掩模版安裝位與第二掩模版安裝位為低于所述掩模版保持架上表面的方形凹槽。?

進一步的，所述的光刻設備還包括角錐棱鏡，安裝于所述角錐棱鏡安裝位。?

進一步的，所述的光刻設備還包括掩模版固定架，以輔助固定所述掩模版。?

進一步的，所述的光刻設備還包括氣孔堵頭，以封住所述掩模版保持架上?的氣路工藝孔。?

進一步的，所述的光刻設備還包括微動電機，設置于所述微動電機安裝位，用以控制所述掩模版承版臺的運動和姿態。?

進一步的，所述微動電機包括直線電機，以及音圈電機。?

綜上所述，本發明所采用的雙曝光的技術，利用掩模版承版臺將兩塊不同的掩模版依次在同一個涂膠層上分別進行獨立的曝光，雙曝光技術可以將二維的圖案分解為兩個更容易生成的一維圖案，使得包含各種特征的掩模圖形的最小特征尺寸的精密制造成為現實，而且本掩模版承版臺可以安裝在平版印刷系統中。?

附圖說明

圖1所示為現有技術中硅片曝光形成的圖形；?

圖2所示為本發明一實施例中的掩模版承版臺結構示意圖；?