[發明專利]圖形轉印方法無效
| 申請號： | 200910046712.6 | 申請日： | 2009-02-26 |
| 公開（公告）號： | CN101819932A | 公開（公告）日： | 2010-09-01 |
| 發明（設計）人： | 沈滿華;黃怡 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/311 | 分類號： | H01L21/311;H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人： | 謝安昆;宋志強 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 圖形 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種圖形轉印方法，其特征在于，使用氟碳比隨時間升高的蝕刻氣體在對晶圓上未被光阻材料遮擋的部分進行蝕刻。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述使用氟碳比隨時間升高的蝕刻氣體在對光阻材料下的晶圓進行蝕刻為：在蝕刻初始時，向反應室內通入組分包含四氟化碳和調諧氣體的蝕刻氣體，所述調諧氣體的流量隨著時間減小。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述調諧氣體的流量隨著時間減小為：調諧氣體的初始流量為10sccm至200sccm，隨時間線性減小到0。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述調諧氣體為三氟氫化碳CHF3、二氟二氫化碳CH2F2、氟三氫化碳CH3F或以上氣體的任意組合。
5.根據權利要求1至4任一項所述的方法，其特征在于，所述蝕刻氣體中含有氧氣，并且氧氣的流量隨著時間升高。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
