[發(fā)明專利]一種二層柔性覆銅板的制備方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910046662.1 | 申請(qǐng)日: | 2009-02-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101492814A | 公開(公告)日: | 2009-07-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 呂銀祥 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 復(fù)旦大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C23C18/40 | 分類號(hào): | C23C18/40;C23C18/20;H05K3/38 |
| 代理公司: | 上海正旦專利代理有限公司 | 代理人: | 陸 飛;張 磊 |
| 地址: | 20043*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 柔性 銅板 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于微納電子材料技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種二層柔性覆銅板的制備方法。
背景技術(shù)
柔性覆銅板(Flexible?Copper?Clad?Lamination,F(xiàn)CCL)是生產(chǎn)柔性印刷電路板的基本材料,因此柔性覆銅板的生產(chǎn)工藝對(duì)電子產(chǎn)品的性能和外觀有著極大地影響。傳統(tǒng)的FCCL主要是采用膠粘劑將絕緣基板與金屬銅箔粘合而成,因此稱為三層型柔性覆銅板(3L-FCCL)。但是該柔性覆銅板耐熱性低,尺寸穩(wěn)定性較差,基材厚度較大。而二層柔性覆銅板更薄,具有更高的撓曲性、耐熱性等優(yōu)良性能,可以滿足高密度布線對(duì)FCCL的要求,因此得到高速發(fā)展。
二層柔性覆銅板的制備方法主要有:濺射電鍍法(Sputtering)、層壓法(Lamination)、預(yù)鑄覆涂法(Casting)等(金浩等.CN101340774;夏登峰等CN1579754;范和平等.CN101157077),由于取消了銅箔與基板中間的膠粘劑,二層柔性覆銅板比三層柔性覆銅板薄了12微米左右,這對(duì)采用FCCL生產(chǎn)多層柔性印刷電路板(Multilayer?Flexible?Printed?Circuit?Board)而言是十分有利的(楊培發(fā)等.絕緣材料,2006,39(3),27.)。
目前,二層柔性覆銅板的致命問(wèn)題在于銅箔容易從基板上脫落。究其原因,濺射電鍍法、層壓法、預(yù)鑄覆涂法等常規(guī)方法制備的銅箔與基板之間是物理吸附,即范德華力作用,一旦熱脹冷縮,覆銅板內(nèi)部應(yīng)力過(guò)大,就會(huì)引起銅箔脫落或破裂,從而影響柔性電路板的性能。
解決這一問(wèn)題的常規(guī)方法如下:將基板表面粗化,增加表面積,進(jìn)一步增強(qiáng)銅箔與基板的鉚合力。這種方法可以在一定程度上提升銅箔與基板的粘合性,但直接的后果在于基板表面凹凸不平,導(dǎo)致覆銅板的表面平整度為幾十到幾百微米;目前微電子集成電路線寬已經(jīng)達(dá)到100納米及以下的水平,上述方法制備的覆銅板顯然不能適用。
本發(fā)明針對(duì)傳統(tǒng)工藝的缺點(diǎn),提出一種高平整度的二層柔性覆銅板的制備方法,將基板表面進(jìn)行改性,在不破壞表面平整度的前提下,引入活性基團(tuán)——巰基,通過(guò)自組裝化學(xué)鍍,使得銅箔與基板通過(guò)Cu-S化學(xué)鍵相連接;由于銅箔是原位生成,且與基板之間是化學(xué)鍵作用力,使得銅箔的剝離強(qiáng)度極大提高;本發(fā)明制備的覆銅板的剝離強(qiáng)度大于80N/mm,而常規(guī)覆銅板僅為2N/mm左右(胡福田等.玻璃鋼/復(fù)合材料,2008,2,83.)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提出一種二層柔性覆銅板的制備方法。
本發(fā)明提出的二層柔性覆銅板的制備方法,其具體步驟為:
(1)清潔基板:將柔性聚酯基板洗凈、烘干;
(2)基板表面羥基化:將清潔后的基板置于氨基取代硅烷溶液中0.5~2.5小時(shí),取出洗凈,烘干,使基板表面羥基化;
(3)基板表面巰基化:將基板再置于巰基取代硅烷溶液中3~6小時(shí),取出洗凈,烘干,使基板表面巰基化;
(4)化學(xué)鍍銅:最后將巰基化后的聚酯基板置于銅化學(xué)鍍液中,于20~80℃化學(xué)鍍0.5~6小時(shí),取出洗凈,烘干,得柔性覆銅板。
本發(fā)明中,所用的聚酯基板其材料為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚對(duì)苯二甲酸丙二醇酯、聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯、聚對(duì)苯二甲酸戊二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚對(duì)苯二甲酸丙三醇酯中任意一種。
本發(fā)明中,所用的氨基取代硅烷溶液的溶質(zhì)為γ-氨乙基氨丙基三甲氧基硅烷、γ-氨乙基氨丙基三乙氧基硅烷、3-氨丙基三甲氧基硅烷或3-氨丙基三乙氧基硅烷中的任意一種;溶劑為甲醇、乙醇、異丙醇、正丁醇、乙二醇、丙酮、丁酮、環(huán)己酮或四氫呋喃中的任意一種;氨基取代硅烷溶液的質(zhì)量濃度為0.1%~5%。
本發(fā)明中,所用的巰基取代硅烷溶液的溶質(zhì)為2-巰基乙基三甲氧基硅烷、2-巰基乙基三乙氧基硅烷、3-巰基丙基三甲氧基硅烷或3-巰基丙基三乙氧基硅烷中的任意一種;溶劑為丙酮、丁酮、環(huán)己酮、四氫呋喃或乙酸乙酯中的任意一種;巰基取代硅烷溶液的質(zhì)量濃度為0.1%~5%。
本發(fā)明中,所用的銅化學(xué)鍍液的配方如下:溶劑為去離子水,溶質(zhì)為硫酸銅(濃度:4~8g/L)、酒石酸鈉鉀(濃度:5~10g/L)、檸檬酸鈉(濃度:8~12g/L)、乙二胺四乙酸二鈉(濃度:4~8g/L)、二甲胺硼烷(濃度:4~8g/L)、氫氧化鈉(濃度:1~2g/L)。
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- 專利分類
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C18-00 通過(guò)液態(tài)化合物分解抑或覆層形成化合物溶液分解、且覆層中不留存表面材料反應(yīng)產(chǎn)物的化學(xué)鍍覆
C23C18-02 .熱分解法
C23C18-14 .輻射分解法,例如光分解、粒子輻射
C23C18-16 .還原法或置換法,例如無(wú)電流鍍
C23C18-54 .接觸鍍,即無(wú)電流化學(xué)鍍
C23C18-18 ..待鍍材料的預(yù)處理
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