[發明專利]一種去除冷壓印殘留膠層的方法

無效

• 申請號: 200910044949.0
• 申請日: 2009-01-06
• 公開（公告）號: CN101770188A
• 公開（公告）日: 2010-07-07
• 發明（設計）人: 劉彥伯;鈕曉鳴;宋志棠;閔國全;周偉民;張靜;萬永中;張挺;李小麗;張劍平;施利毅;劉波;封松林
• 申請（專利權）人: 上海市納米科技與產業發展促進中心;中國科學院上海微系統與信息技術研究所
• 主分類號: G03F7/42
• 分類號: G03F7/42;G03F7/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種去除冷壓印殘留膠層的方法，屬于納米制造領域。

背景技術

隨著芯片特征尺寸的減小，傳統光學光刻正面臨成本和技術的巨大壓力，而納米壓印技術以低成本、高效率、簡單易行的突出優勢，在納米加工領域凸顯出強大競爭力和廣闊應用前景。納米壓印技術用具有納米圖案的模板將基片上的壓印膠薄膜擠壓形成納米圖形結構，再對壓印膠結構進行常規的刻蝕、剝離等加工，最終制成納米結構和器件，這項技術可以大批量重復性地在大面積襯底上制備納米結構，并且所制作出的高分辨率圖案均勻性和重復性好、易與傳統IC工藝兼容，適于產業化。但由于目前冷壓印常用的是石英玻璃體表結構的模板，所以在曝光固化時壓印膠殘留層也被同時固化了，如何有效去除壓印膠殘留層一直是壓印工藝面臨的一個重要問題。

本發明在透光模板圖案表面選擇性覆蓋不透光材料，使光敏壓印膠部分固化，部分不固化，用化學溶劑將未固化區域的光刻膠直接清洗，達到去除壓印殘留膠層的目的。

發明內容

本發明目的在于提供一種去除冷壓印殘留膠層的方法，其特征是：在透光模板圖形表面選擇性覆蓋不透光材料，對圖案表面進行修飾后直接作壓印模板，能夠使光敏壓印膠復型結構選擇性的部分固化，部分不固化，最后用化學溶劑將未固化區域的壓印膠直接清洗，達到去除壓印殘留膠層的目的。

本發明的實現過程：

1、首先準備一塊石英玻璃或其他玻璃或其他透光固體材料，外形為0.1～6英寸，厚度在1μm～5mm之間。

2、通過蒸鍍、濺射或沉積以及曝光、顯影、蝕刻、沉積、剝離或其他半導體工藝中的一種或多種組合使透光材料表面圖形化，并保證圖形化表面選擇性覆蓋不透光材料層(圖1)，其特征在于：在模板凹凸圖形表面選擇性的部分覆蓋一層不透光材料，部分不覆蓋不透光材料。不透光材料包括：鈦、金、鎢、鉻、鎳、鋁或其他金屬中的一種或多種組合；或其他可以阻擋光敏壓印膠敏感光波的材料。不透光材料層厚在0～1mm之間。

3、修飾處理：用氟基化合物或其他能降低所述模板圖案表面能的化合物通過低壓噴涂法或氣相或液相沉積法進行修飾處理，形成一層修飾膜來降低其表面能(圖2)。

4、壓印：將上述制作和修飾獲得的模板直接用于壓印工藝，在不同襯底表面壓印復型(圖3)。

5、控制冷壓印曝光時間使光敏壓印膠部分固化，部分不固化。

6、用丙酮等壓印膠溶劑將復型結構中未固化的壓印膠直接清洗去除，實現去除殘留層目的(圖4)。

7、用上述制作和修飾獲得的模板作為母模復制軟模板。軟模材料為PDMS或PMMA或其他高聚物中的一種或多種。

附圖說明

圖1模板；圖2修飾處理；圖3壓印；圖4去除殘留膠層

附圖中符號說明：

1：透光材料????2：模板圖形????????????????3：不透光材料層????4：修飾膜

5：壓印基底????6：未固化區域(殘留膠層)????7：固化區域

具體實施方式

下面通過具體實施例進一步闡明本發明的實質性特點和顯著的進步。但決非限制本發明，本發明也決非僅局限于實施例。

實施例一：

1、依次在0.5mm厚2英寸石英玻璃表面沉積黏合層TiN和不透光材料層Cr，厚度分別為20nm和1μm。

2、用電子束曝光、蝕刻等半導體加工技術將TiN和Cr層圖形化，使圖案底部露出石英玻璃表面(圖1)。

3、用低壓噴涂法進行修飾處理，形成一層修飾膜來降低其表面能(圖2)。修飾劑為CF3-(CF2)7-(CH2)2-SiCl3。

4、將所得模板用于紫外納米壓印工藝，在硅基表面紫外壓印膠AMONIL04層上壓印得到模板圖案復型結構(圖3)。

5、用丙酮浸泡復型結構，時間為5s，去除殘留膠層(圖4)。

上述實施例將有助于理解本發明，但并不限制本發明的內容。