[發明專利]一種太陽能電池組件鍍膜蓋板玻璃的制造方法有效
| 申請號: | 200910041529.7 | 申請日: | 2009-07-30 |
| 公開(公告)號: | CN101630702A | 公開(公告)日: | 2010-01-20 |
| 發明(設計)人: | 劉沐陽;印冰;曹建峰 | 申請(專利權)人: | 東莞南玻太陽能玻璃有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;B05B17/06 |
| 代理公司: | 東莞市華南專利商標事務所有限公司 | 代理人: | 梁永宏 |
| 地址: | 523141廣東省東莞市麻涌鎮*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 太陽能電池 組件 鍍膜 蓋板 玻璃 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及太陽能光電轉換玻璃制造技術領域,特別是涉及一種太陽能電 池組件鍍膜蓋板玻璃的制造方法。
背景技術
現有技術中,在太陽能電池組件中的太陽能光電轉換一般都是通過硅片對 太陽能光譜的吸收實現的。隨著工藝技術的提高,目前硅片的光電轉化效率已 經達到了極限,很難有進一步的提高。如何能提高太陽能電池組件中作為蓋板 材料的玻璃基片的透光率,使更多的太陽能光到達硅片被吸收,從而提高光電 轉換效率,已成為了本領域中人們所關注的重點問題。
由于太陽能超白壓花玻璃的透光率高,光吸收能力強,而且在各種不同的 氣候條件下,能夠耐溫耐老化,較好地符合了太陽能光伏電池組件所要求的性 能,因此太陽能電池組件的蓋板玻璃通常都選用太陽能超白壓花玻璃作為玻璃 基片。為了進一步提高玻璃基片的透光率,可以通過在太陽能超白玻璃基片上 進行鍍膜加工處理,由此得到具備提高透光率的膜層,使之顯著提高太陽能超 白壓花玻璃的透光率,從而提高太陽能電池組件的光電轉換效率。
目前鍍膜玻璃的制造方法有很多,主要有真空磁控濺射法和溶膠—凝膠法 等。真空磁控濺射法制造鍍膜玻璃,是利用磁控濺射技術進行鍍膜,可以設計 制造出多層復雜膜系,并可在白色的玻璃基片上鍍出多種顏色,其膜層的耐腐 蝕和耐磨性能較好,但其設備投資成本高,導致其制造產品的成本較高;溶膠 —凝膠法制造鍍膜玻璃,雖然其工藝簡單,但其產品的裝飾性較差,而且僅限 于實驗室小樣片制備,不易于批量化生產,無法提供滿足市場要求的均勻大面 積鍍膜玻璃產品。
因此,亟需提供一種可使鍍膜玻璃增加透光率,提高太陽能電池的太陽能 光電轉換效率,且制備方法簡單、形成膜層均勻,并可實現大規模全自動工業 化生產的太陽能電池組件鍍膜蓋板玻璃的制造方法。
發明內容
本發明的目的在于避免現有技術中的不足之處而提供一種可使鍍膜玻璃增 加透光率,提高太陽能電池的太陽能光電轉換效率,且制備方法簡單、形成膜 層均勻,并可實現大規模全自動工業化生產的太陽能電池組件鍍膜蓋板玻璃的 制造方法。
本發明的目的通過以下技術措施實現:
提供一種太陽能電池組件鍍膜蓋板玻璃的制造方法,其中,包括以下步驟:
A、選擇太陽能超白壓花玻璃作為玻璃基板;
B、將所述玻璃基板進行切割、磨邊;
C、將經所述切割、磨邊的所述玻璃基板進行清洗、干燥;
D、采用噴涂的工藝方法,對經所述清洗、干燥的所述玻璃基板進行鍍膜;
E、對經所述鍍膜的所述玻璃基板進行鋼化處理或者固化處理。
優選的,上述步驟D具體包括:
D1、將二氧化硅和二氧化鈦的納米溶液溶于去離子水及有機溶劑中,配制 成鍍膜漿料溶液;
D2、采用超聲霧化噴涂工藝方法,將所述鍍膜漿料溶液導入超聲霧化裝置, 將所述鍍膜漿料溶液霧化成微粒狀溶液;
D3、將所述霧化成微粒狀溶液的所述鍍膜漿料溶液均勻地噴涂于所述玻璃 基片。
更優選的,上述步驟D1中,所述二氧化硅的納米溶液在所述鍍膜漿料溶液 中的重量百分比為25%~50%,所述二氧化鈦的納米溶液在所述鍍膜漿料溶液 中的重量百分比為1.5%~4.5%。
進一步的,上述二氧化硅的納米溶液在所述鍍膜漿料溶液中的重量百分比 為35%,所述二氧化鈦的納米溶液在所述鍍膜漿料溶液中的重量百分比為2.4 %。
另一更優選的,上述步驟D2中,所述超聲霧化裝置,使用時,溫度設置為 25℃,氣壓設置為0.2~0.3MPa,氣體流量設置為10~60ml/min,溶液流量設 置為1~20ml/min或者10~70ml/min。
另一更優選的,上述步驟D2中,所述微粒狀溶液的顆粒的平均粒徑的范圍 為≤60μm。
進一步的,上述微粒狀溶液的顆粒的平均粒徑的范圍為18~60μm,且均勻 分布。
另一更優選的,上述步驟D1中,所述有機溶劑為乙醇或者異丙醇或者乙醇 和異丙醇。
另一優選的,上述步驟A中,所述玻璃基板為透光率≥91.6%的玻璃基板。
另一優選的,上述步驟E為:所述固化處理為:將經所述鍍膜的所述玻璃 基板經過2~5min的流平階段,再送入加熱爐中進行所述固化處理,所述固化 處理的溫度為150~250℃、時間為5~15min。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





