[發(fā)明專(zhuān)利]一種藍(lán)光LED芯片的封裝方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910039891.0 | 申請(qǐng)日: | 2009-06-02 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101567412A | 公開(kāi)(公告)日: | 2009-10-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉立林;王鋼;蔡苗苗 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 中山大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L33/00 | 分類(lèi)號(hào): | H01L33/00 |
| 代理公司: | 廣州粵高專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人: | 禹小明 |
| 地址: | 510275廣*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 led 芯片 封裝 方法 | ||
1.一種藍(lán)光LED芯片的封裝方法,其特征在于包括以下步驟:
(a)配制藍(lán)光敏感的光敏樹(shù)脂液體;
(b)將芯片基座、位于芯片基座上的LED芯片及位于芯片基座下的封裝支架在光敏樹(shù)脂中預(yù)浸;
(c)然后將LED芯片、芯片基座及封裝支架倒置浸入光敏樹(shù)脂液體中,芯片基板邊緣浸沒(méi)入光敏樹(shù)脂內(nèi),通入工作電流I1到LED芯片使其發(fā)光,觸發(fā)光敏樹(shù)脂發(fā)生初步聚合,在LED芯片的出光面上形成光敏樹(shù)脂核,其中光敏樹(shù)脂核的形狀由通電電流I1和通電時(shí)間大小控制,I1小于20mA;
(d)將LED芯片、芯片基座及封裝支架緩慢上升至脫離光敏樹(shù)脂液面,在光敏樹(shù)脂核和芯片基座上將附著一半球形或近半球形光敏樹(shù)脂液滴;
(e)通入工作電流I2到LED芯片使其發(fā)光,激發(fā)光敏樹(shù)脂液滴固化,其中I2大于或等于20mA;
(f)將光敏樹(shù)脂液滴固化后的樣品通入工作電流I3使LED芯片發(fā)光,進(jìn)一步固化去色,或者將樣品用陽(yáng)光曝曬去色,或者用紫光照射去色,其中I3大于100mA;
(g)最后將固化去色后的樣品進(jìn)行清洗。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的藍(lán)光LED芯片的封裝方法,其特征在于:在步驟(d)中,將裝有光敏樹(shù)脂的容器緩慢下降,使LED芯片、芯片基座及封裝支架脫離光敏樹(shù)脂液面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的藍(lán)光LED芯片的封裝方法,其特征在于:該光敏樹(shù)脂包括紫光或近紫外光敏引發(fā)劑,還包括樹(shù)脂單體、預(yù)聚物、助劑及用于樹(shù)脂改性的納米顆粒中的任意一種或幾種的組合,光敏引發(fā)劑含量小于5%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的藍(lán)光LED芯片的封裝方法,其特征在于:所述工作電流為直流電。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的藍(lán)光LED芯片的封裝方法,其特征在于:該LED芯片與芯片基座之間設(shè)有一能將LED芯片發(fā)出的光線(xiàn)反射的反射杯或反射面。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件;專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備;這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的,例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
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