[發明專利]醫用鈦合金植入材料表面的氮化碳改性薄膜的制備方法

無效

• 申請號: 200910030710.8
• 申請日: 2009-04-10
• 公開（公告）號: CN101555586A
• 公開（公告）日: 2009-10-14
• 發明（設計）人: 王繼剛;劉敏
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/06;C23C14/16;A61L27/30;A61L27/06
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司
• 代理人: 葉連生

1.一種醫用鈦合金植入材料表面的氮化碳改性薄膜的制備方法，其特征在于：利用直流磁控濺射方法，在鎳鈦合金、Ti6Al4V、鈦鈮鋯錫-Ti24Nb4Zr7.9Sn醫用鈦合金表面先沉積鈦過渡層，再濺射具有良好生物醫用性能的氮化碳改性薄膜。

2.如權利要求1所述的醫用鈦合金植入材料表面的氮化碳改性薄膜的制備方法，其特征在于：具體過程如下：

1)靶材和基底的安裝及真空度控制：將純鈦靶、高純石墨靶、以及鎳鈦合金、Ti6Al4V、鈦鈮鋯錫-Ti24Nb4Zr7.9Sn醫用鈦合金基底分別固定安裝于真空反應室中相應的靶位和濺射沉積位置；再關閉真空反應室，依次利用機械泵、分子泵，將反應室抽至真空，并控制本底真空度≤1.0×10^-3Pa；

2)鈦過渡層的沉積：

①以氬氣為工作氣體，氬氣流量為5-30sccm，通過氣體流量計調整氬氣的通入量，并調整真空室的工作氣壓為0.5-3.0Pa；

②調整濺射位置，將純鈦靶對準空白濺射位，調整濺射功率為100-300W，加載電壓進行輝光放電電離氬氣并產生等離子體，利用氬離子刻蝕鈦靶1-2分鐘以除去表面氧化物、雜質以及油污；

③再次調整濺射位置，將純鈦靶對準鈦合金，繼續濺射10-20分鐘；

3)氮化碳改性薄膜的沉積：

①以氬氣和氮氣的混合氣體為工作氣體；氬氣流量為5-30sccm，氮氣流量為5-30sccm，通過氣體流量計調整氬氣和氮氣通入量的相對比例，并控制真空室的工作氣壓為0.5-30Pa；

②調整靶位，將高純石墨靶對準鈦合金，并繼續加載電壓進行輝光放電轟擊石墨靶，通過濺射出來的碳離子與真空反應室中電離的氮離子結合為氮化碳，并沉積到鈦合金表面的鈦過渡層上形成氮化碳薄膜，濺射時間控制在1-5小時。