[發明專利]一種用MOS工藝結構集成的二極管芯片

有效

• 申請號: 200910029292.0
• 申請日: 2009-04-08
• 公開（公告）號: CN101515584A
• 公開（公告）日: 2009-08-26
• 發明（設計）人: 王毅;謝盛達
• 申請（專利權）人: 揚州揚杰電子科技有限公司
• 主分類號: H01L27/105
• 分類號: H01L27/105;H01L29/78;H01L29/423;H01L31/02
• 代理公司: 北京連和連知識產權代理有限公司
• 代理人: 奚衡寶

1.一種用MOS工藝結構集成的二極管芯片，其特征在于，所述芯片中集成有若干個含有8個半導體二極管的“細胞”電路，每個半導體二極管中均設有柵(G)、源(S)、漂移區、漏(D)，所述的柵(G)、源(S)短接；在硅片兩面設正極面鋁鈦鎳銀金屬層、負極面鋁鈦鎳銀金屬層，所述柵(G)嵌入正極面鋁鈦鎳銀金屬層的底面，所述漏(D)接觸負極面鋁鈦鎳銀金屬層的頂面。

2.根據權利要求1所述的一種用MOS工藝結構集成的二極管芯片，其特征在于，所述的半導體二極管的柵(G)在水平面上的投影為條形，8個條形的半導體二極管的柵(G)間隔排列呈方塊狀，構成所述的“細胞”電路；所述芯片中相鄰“細胞”電路互呈90°布設。