[發明專利]基片集成波導補償型寬帶移相器

有效

• 申請號: 200910029130.7
• 申請日: 2009-01-06
• 公開（公告）號: CN101465455A
• 公開（公告）日: 2009-06-24
• 發明（設計）人: 洪偉;程鈺間;吳柯
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H01P1/18
• 分類號: H01P1/18
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司
• 代理人: 葉連生

1.一種基片集成波導補償型寬帶移相器，包括上層金屬敷銅面(1)、下層金屬 敷銅面(2)、介質基片(3)、金屬化通孔(4)；其特征在于該移相器為一平面電路 結構，上層金屬敷銅面(1)、下層金屬敷銅面(2)分別位于介質基片(3)的兩面， 兩排金屬化通孔(4)穿過介質基片(3)與上層金屬敷銅面(1)、下層金屬敷銅面 (2)相連接形成基片集成波導支路一(5)，另兩排金屬化通孔(4)穿過介質基片 (3)與上層金屬敷銅面(1)、下層金屬敷銅面(2)相連接形成基片集成波導支路 二(6)；支路一輸入端口(51)位于基片集成波導支路一(5)信號輸入的一側，支 路一輸出端口(52)位于基片集成波導支路一(5)信號輸出的一側；支路二輸入端 口(61)位于基片集成波導支路二(6)信號輸入的一側，支路二輸出端口(62)位 于基片集成波導支路二(6)信號輸出的一側；信號由支路一輸入端口(51)、支路 二輸入端口(61)進入，分別通過基片集成波導支路一(5)，基片集成波導支路二 (6)，到達支路一輸出端口(52)、支路二輸出端口(62)，并在二者之間形成固定 的所需相位差；

基片集成波導支路一(5)具有第一寬度W1和第一長度L1，基片集成波導支 路二(6)具有第二寬度W2、第一長度L1、第三寬度W3和第二長度L2；在介電 常數為ε_r的介質基片上實現中心頻率為f，帶寬為Δf，相位差為的移相器電路， 可預先選定基片集成波導的金屬化通孔直徑d，間距p，第一寬度W1、第二寬度 W2和第三寬度W3，再利用下述方程組確定第一長度L1、第二長度L2。