[發明專利]連續式多晶硅提純結晶爐的加熱裝置有效
| 申請號: | 200910023822.0 | 申請日: | 2009-09-04 |
| 公開(公告)號: | CN101691219A | 公開(公告)日: | 2010-04-07 |
| 發明(設計)人: | 陳躍峰;朱振明 | 申請(專利權)人: | 咸陽華光窯爐設備有限公司 |
| 主分類號: | C01B33/021 | 分類號: | C01B33/021;C01B33/037;C30B28/06;C30B29/06 |
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| 地址: | 712000 陜西省咸陽市*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 連續 多晶 提純 結晶 加熱 裝置 | ||
一、技術領域
本發明涉及一種連續式多晶硅提純結晶爐加熱裝置,屬連續式多晶硅 提純結晶爐加熱裝置結構的設計及制造技術領域。
二、背景技術
連續式多晶硅提純結晶爐是一種多晶硅的連續提純、定向凝固設備。 多晶硅連續提純、定向凝固的核心是對熱場的控制,合理的加熱裝置是生 產出高質量的產品的保證。
三、發明內容
本發明的目的是提供一種設計合理、易于控制的連續式多晶硅提純結 晶爐的加熱裝置,在連續式爐內實現產品由下向上結晶,符合定向凝固多晶 硅結晶工藝過程。
本發明為連續式多晶硅提純結晶爐的加熱裝置,它包括復合加熱裝 置、溫度傳感器、控溫儀表。復合加熱裝置采用爐膛側部布置、上部布置、 側上部布置、側下部布置加熱元件組等復合組成方式,采用長度方向多工 位控制及高度方向上下溫區不同功率復合控制,實現連續式定向凝固,在 結晶區的數個工位的每個工位上下設置兩個單獨的溫區,分別控制,復合 加熱裝置采用上輔助加熱元件組和爐膛側部加熱元件組構成,上輔助加熱 元件組為數支加熱元件組成的加熱元件組,采用爐膛上部布置加熱元件組 或爐膛側上部布置加熱元件組方式;爐膛側部加熱元件組同樣為數支加熱 元件組成的加熱元件組,采用爐膛側部布置加熱元件組或爐膛側下部布置 加熱元件組方式,實現產品由下而上的定向凝固所需要的同一截面上下溫 度梯度的要求,上部溫區溫度設定為1436℃~1420℃之間,下部溫區溫度 設定隨結晶界面的向上移動及結晶時間的推移逐步降低,形成多工位、多 溫區控制,結晶區工位分別用J1、J2……Jn來表示,J1為結晶開始工位, Jn為結晶完成工位,結晶區工位的上部溫區溫度分別用J1a、J2a……Jna 來表示,結晶區工位的下部溫區溫度分別用J1b、J2b……Jnb來表示,在 結晶區產品需要經過J1、J2……Jn數個工位,隨著工位由J1工位到Jn 工位的逐步推移,上部溫區溫度J1a、J2a……Jna設定為1436℃~1420℃ 之間,下部溫區溫度J1b、J2b……Jnb的設定溫度將逐步降低,由于工位 由J1、J2……Jn的推移為步進式運動,每步進一個工位的時間很短,產品 長期處在靜止狀態,靜止狀態占到每個步進周期的95%,步進式運動對產 品整個溫度梯度的影響可以忽略,隨著工位由J1、J2……Jn的不斷步進式 運動,在產品下部同一高度界面的溫度不斷降低,形成產品溫度由下向上 定向凝固所需的溫度梯度,實現產品的連續定向凝固。所述的溫度傳感器 為熱電偶,控溫儀表為數顯調壓儀表。
本發明為連續式多晶硅提純結晶爐的加熱裝置,在連續式爐中實現定 向凝固,有利于硅提純合格率的提高,也有利于鑄錠成本的降低,具有良 好的經濟效益和社會效益。
四、附圖說明
附圖1為本發明的結構示意圖。
附圖2為本發明的長度方向加熱元件布置圖。
五、實現方式
下面結合附圖對本發明做進一步說明。
本發明涉及一種連續式多晶硅提純結晶爐的加熱裝置,它由復合加熱 裝置、溫度傳感器、控溫儀表等組成。復合加熱裝置采用爐膛側部布置、 上部布置、側上部布置、側下部布置加熱元件組復合組成方式,沿爐體長 度方向爐體分為高溫靜置區、降溫區、結晶區、冷卻區,采用長度方向多 工位控制及高度方向上下溫區不同功率復合控制,實現連續式定向凝固。
為了實現產品由下而上的定向凝固的效果,在結晶區的數個工位的每 個工位上下設置兩個單獨的溫區,分別控制,采用上輔助加熱元件組(1) 和爐膛側部加熱元件組(2)的復合加熱裝置,上輔助加熱元件組(1)為 數支硅碳棒、硅鉬棒、石墨等加熱元件組成的加熱元件組,采用爐膛上部 布置加熱元件組或爐膛側上部布置加熱元件組方式。爐膛側部加熱元件組 (2)同樣為數支硅碳棒、硅鉬棒、石墨等加熱元件組成的加熱元件組,采 用爐膛側部布置加熱元件組或爐膛側下部布置加熱元件組方式。通過上輔 助加熱元件組(1)和爐膛側部加熱元件組(2)的復合加熱裝置的設置和 分別控制,可實現產品由下而上的定向凝固所需要的同一截面上下溫度梯 度的要求。上部溫區用熱電偶(3)溫度傳感器檢測,隨著結晶界面的向上 移動,溫度基本設定為1436℃~1420℃之間,下部溫區用熱電偶(4)溫 度傳感器檢測,溫度設定隨結晶界面的向上移動及結晶時間的推移逐步降 低,形成多工位、多溫區控制。結晶區工位分別用J1、J2……Jn來表示, J1為結晶開始工位,Jn為結晶完成工位,結晶區工位的上部溫區溫度分別 用J1a、J2a……Jna來表示,結晶區工位的下部溫區溫度分別用J1b、 J2b……Jnb來表示,在結晶區產品需要經過J1、J2……Jn等數個工位, 隨著工位由J1工位到Jn工位的逐步推移,頂部溫區溫度J1a、J2a……Jna 基本設定為1436℃~1420℃之間,下部溫區溫度J1b、J2b……Jnb的設定 溫度將逐步降低,由于工位由J1、J2……Jn的推移為步進式運動,每步進 一個工位的時間很短,產品長期處在靜止狀態(占到每個步進周期的95%), 步進對產品整個溫度梯度的影響可以忽略,隨著工位由J1、J2……Jn的不 斷步進式推移,在產品下部同一高度界面的溫度不斷降低,形成產品溫度 由下向上定向凝固所需的溫度梯度,實現產品的連續定向凝固。
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