[發明專利]一種高溫超導涂層導體緩沖層的制備方法有效
| 申請號： | 200910023074.6 | 申請日： | 2009-06-26 |
| 公開（公告）號： | CN101587763A | 公開（公告）日： | 2009-11-25 |
| 發明（設計）人： | 熊曉梅;盧亞鋒;李成山;于澤銘;金利華 | 申請（專利權）人： | 西北有色金屬研究院 |
| 主分類號： | H01B13/00 | 分類號： | H01B13/00;H01B12/06 |
| 代理公司： | 西安創知專利事務所 | 代理人： | 李子安 |
| 地址： | 710016陜*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 高溫 超導 涂層 導體 緩沖 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種高溫超導涂層導體緩沖層的制備方法，其特征在于，制備過程為：
(1)前驅溶液制備：稱取乙酰丙酮鋯粉末和四水醋酸錳粉末，按Mn∶Zr＝x∶1-x的原子比配制，其中0.1≤x≤0.4，再加入有機溶劑丙酸或甲醇，低溫80-120℃溶解獲得前驅溶液，所述前驅溶液的摩爾濃度是0.1M～0.5M；
(2)旋涂或浸涂：選取丙酮清潔過的鈦酸鍶單晶片，或Ni-5at.％W合金為基底且涂有已立方織構化的La2Zr2O7薄膜的基片，旋涂時，所述單晶片或基片水平放置在旋涂機吸口上，將(1)所述的前驅溶液均勻滴到單晶片或基片上，旋涂機的速率是3000轉/min，旋涂時間為60s；浸涂時，鈦酸鍶單晶片或所述基片浸入步驟(1)中所述前驅溶液10s后，以4cm/min抽出，旋涂或浸涂后均放入50～60℃烘箱內，10min后獲得前驅膜；
(3)晶化處理：將步驟(2)中的前驅膜放入高溫爐中，爐子的升溫速率是3-4℃/min，升至900℃-1000℃，保溫0.5-5小時，隨爐冷卻，即得到高溫超導涂層導體MnxZr1-xO2緩沖層薄膜，其中0.1≤x≤0.4。
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