[發明專利]一種有機電致發光顯示器件的制備方法

無效

• 申請號: 200910021732.8
• 申請日: 2009-03-27
• 公開（公告）號: CN101515633A
• 公開（公告）日: 2009-08-26
• 發明（設計）人: 張志剛
• 申請（專利權）人: 彩虹集團公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/54
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司
• 代理人: 徐文權

1.一種有機電致發光顯示器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

1)在清洗干凈的導電基板上印刷有機電致發光顯示器件OLED的氧化銦錫ITO陽極圖形，將印刷好氧化銦錫ITO陽極圖形的基板分別用甲苯、乙醇和丙酮進行超聲清洗，再用去離子水浸洗干凈，在真空室中進行臭氧離子轟擊處理，將真空室壓強控制在5-50Pa之間，對基底進行轟擊5min-20min；

2)用真空蒸鍍的方法在印刷好氧化銦錫ITO陽極圖形的基板上蒸鍍空穴傳輸層材料N，N’-雙(1-萘基)-N，N’-二苯基-1，1’-二苯基-4，4’-二胺，簡稱NPB，制備NPB第一空穴傳輸層，系統真空度在5×10^-5Pa，NPB沉積速率為0.1-1.5nm/s，厚度為40-80nm；

3)在NPB第一空穴傳輸層上，采用現有技術真空蒸鍍的方法蒸鍍紅綠藍有機發光材料，制備第一發光層，系統真空度維持在5×10^-5Pa，有機發光材料的沉積速率為0.1-2.0nm/s，厚度為20-50nm；

4)在第一發光層上，采用真空蒸鍍的方法蒸鍍電子傳輸材料8-羥基喹啉鋁Alq₃，制備Alq₃第一電子傳輸層，系統真空度維持在5×10^-5Pa，電子傳輸材料的沉積速率為0.1-2.0nm/s，厚度為10-40nm；

5)在Alq₃第一電子傳輸層上，采用真空蒸鍍的方法依次蒸鍍功能插層材料CuPc、LiF和Al，制備CuPc/LiF/Al功能插層，系統真空度維持在5×10^-5Pa，CuPc/LiF/Al功能插層材料的沉積速率為0.1-10.0nm/s，CuPc、LiF和Al的厚度分別5-20nm、0.1-5nm和1.0-10nm；

6)在CuPc/LiF/Al功能插層上，采用真空蒸鍍的方法蒸鍍空穴傳輸層材料N，N’-雙(1-萘基)-N，N’-二苯基-1，1’-二苯基-4，4’-二胺，簡稱NPB，制備第二空穴傳輸層，系統真空度在5×10^-5Pa，NPB沉積速率為0.1-1.5nm/s，厚度為40-80nm；

7)在第二空穴傳輸層上，采用真空蒸鍍的方法蒸鍍有機發光材料，制備第二發光層，系統真空度維持在5×10^-5Pa，有機發光材料的沉積速率為0.1-2.0nm/s，厚度為20-50nm；

8)在第二發光層上，采用真空蒸鍍的方法蒸鍍電子傳輸材料8-羥基喹啉鋁Alq₃，制備第二Alq₃電子傳輸層，系統真空度維持在5×10^-5Pa，電子傳輸材料的沉積速率為0.1-2.0nm/s，厚度為10-40nm；

9)在第二Alq₃電子傳輸層上，采用真空蒸鍍的方法蒸鍍陰極材料LiF和Al，制備LiF/Al混合陰極，系統真空度維持在5×10^-5Pa，陰極材料的沉積速率為0.1-10.0nm/s，LiF和Al的厚度分別0.1-5nm和50-300nm；

10)采用封裝基板對器件進行整體封裝，完成器件制備。