[發明專利]原位生長碳氮化鈦系晶須材料及其制備方法

有效

• 申請號: 200910014461.3
• 申請日: 2009-02-27
• 公開（公告）號: CN101514493A
• 公開（公告）日: 2009-08-26
• 發明（設計）人: 黃傳真;崇學文;徐亮;劉含蓮;鄒斌;艾興
• 申請（專利權）人: 山東大學
• 主分類號: C30B29/38
• 分類號: C30B29/38;C30B29/62
• 代理公司: 濟南金迪知識產權代理有限公司
• 代理人: 王緒銀;薛玉麟

1.原位生長碳氮化鈦系晶須材料的方法，其特征在于：合成碳氮化鈦晶須的先驅體各成分重量比％為：Ti0₂?36.4％-38.5％；C?11.5％-16.4％；NaCl?22.7％-24.0％；KCl22.7％-24.0％；NiCl₂?1.8％-2.0％。

2.制備權利要求1所述的原位生長碳氮化鈦系晶須材料的方法，其特征在于：(1)將按比例配制的碳氮化鈦晶須先驅體混料裝入缸式球磨機中，用氧化鋁球干磨12小時和用100目篩過篩；(2)將過篩后的配料裝入上下封閉、中間有多孔的石墨容器，再放入高溫燒結爐內；(3)在升溫速率50℃/min、N₂流速0.1-0.4Nm³/h、溫度1250℃-1500℃、保溫60min-120min條件下合成原位生長碳氮化鈦系晶須材料。